[发明专利]真空处理装置

权利要求书

1.一种真空处理装置，包括：多个真空输送室，所述多个真空输送室配置在大气输送室的背面侧，相互连接，在被减压的内部配置有输送晶片的真空输送机器人；多个真空处理室，在所述真空输送室的每一个上至少各连接一个所述真空处理室，在利用所述真空输送机器人将配置在前述大气输送室的前面侧的盒内的多个晶片从该盒中取出，依次向前述多个真空处理室输送，并进行处理，之后，使所述晶片返回到前述盒内，其中，

所述真空处理装置具有设定前述多个晶片的输送的动作并调节该动作的控制部，该控制部进行调节，使得任意的前述晶片被输送到连接在前述多个真空输送室之中配置在最里侧的真空输送室上的全部前述真空处理室中，在这样调节之后，对下一个晶片的输送进行调节，使得在前述任意的晶片变得能够从连接到所述最里侧的真空输送室上的前述真空处理室运出之前，将该下一个晶片输送到作为能够运入的前述真空处理室的配置在最后方的真空处理室中。

2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

前述控制部调节前述下一个晶片的输送，使得将前述下一个晶片输送到如下的真空处理室中，即，该真空处理室是在连接到配置得比前述最里侧的前述真空输送室靠前方的前述真空输送室上的前述多个真空处理室之中、连接到前述最后方的真空输送室上的真空处理室。

3.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

包括：中间室，所述中间室在相邻的前述多个真空输送室相互之间将这些真空输送室连接起来地配置，在与前述真空输送室连通的内部，能够容纳多个前述晶片；至少一个锁定室，所述锁定室在前述多个真空输送室之中配置在最前方的真空输送室与前述大气输送室之间，将前述配置在最前方的真空输送室与前述大气输送室连接起来地配置，

利用前述真空输送机器人进行的前述晶片的输送，在前述真空处理室与前述中间室或者前述锁定室之间的输送所需要的时间，比在前述中间室或前述锁定室之间的输送所需要的时间长。

4.如权利要求2所述的真空处理装置，其特征在于，

包括：中间室，所述中间室在相邻的前述多个真空输送室相互之间将这些真空输送室连接起来地配置，在与前述真空输送室连通的内部，能够容纳多个前述晶片；至少一个锁定室，所述锁定室在前述多个真空输送室之中配置在最前方的真空输送室与前述大气输送室之间，将前述配置在最前方的真空输送室与前述大气输送室连接起来地配置，

利用前述真空输送机器人进行的前述晶片的输送，在前述真空处理室与前述中间室或者前述锁定室之间的输送所需要的时间，比在前述中间室或前述锁定室之间的输送所需要的时间长。

5.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

包括：中间室，所述中间室在相邻的前述多个真空输送室相互之间，将这些真空输送室连接起来地配置，在与前述真空输送室连通的内部，能够容纳多个前述晶片；至少一个锁定室，所述锁定室在前述多个真空输送室之中配置在最前方的真空输送室与前述大气输送室之间，将前述配置在最前方的真空输送室与前述大气输送室连接起来地配置，在内部能够容纳前述晶片，

前述多个真空处理室各自在内部配备有试样台，前述晶片被载置并保持在该试样台的上表面，所述试样台包括：多个销，所述多个销配置在该试样台的内部、上下移动，在使前端从前述上表面向上方移动的状态下，将前述晶片载置并保持在该前端；电介质制的膜，所述膜构成前述上表面，借助将晶片载置在该膜上的状态下形成的静电力，吸附并保持前述晶片，

所述真空处理装置配备有在前述中间室及前述锁定室内载置并保持前述晶片的固定的保持部。