[发明专利]发光二极管晶片的点测方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管晶片的点测方法，具体涉及一种铝镓铟磷基发光二极管晶片测试方法。

背景技术

随着铝镓铟磷基发光二极管（light-emitting diode, LED）广泛应用于显示屏、指示灯、数码产品、背光源等不同领域，客观上对LED的需求呈现几何级数增加，这样对LED的生产效率提出了更高的要求。目前LED晶片在做点测时需测量电性及光学参数，传统的全点测方式采用点墨测试，即对晶片中每颗芯粒进行光电参数全测（通常为WLD、LOP、VF、IR等），将不符合一定参数规格范围的芯粒喷上墨点以做标识，并在镜检环节再做挑除。测量电性参数时反应速度快，但测量光学参数需根据LED芯粒的特性来设定芯粒稳定时间、光学测量系统的曝光时间及用运算校正的系统函数演算法来取得测量数值，其测量光学参数的时间约占总测量时间的1/3~1/2时间，其造成了LED晶片测试机台的点测效率低下，进而严重影响了发光二极管的产能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管晶片的点测方法，其可以有效提升测试发光二极管晶片的效率。

本发明说明书和权利要求书中多次提及“光电参数全测”和“电参数单测”，在此特别说明，“光电参数全测”是指测试芯粒的光学参数和电性参数，“电参数单测”是指只测试芯粒的电性参数。

本发明提供一种发光二极管晶片的点测方法，包括光学参数测试和电性参数测试，其特征在于：对光学参数分布离散的区域芯粒进行光电参数全测，对光学参数分布集中的区域芯粒只进行电性参数单测。

进一步地，前述发光二极管晶片的点测方法，包括如下步骤：定义晶片的顶部、底部区域和中间区域；对晶片顶部区域的芯粒进行光电参数全测；对晶片的中间区域的部分芯粒进行光电参数全测，另一部分芯粒进行电参数单测；对晶片的底部区域进行光电参数全测。

进一步地，本发明通过设定单行芯粒颗数界定晶片的顶部和底部区域，当单行芯粒颗数低于预设值时，其为顶部或底部区域。

进一步地，在晶片的中间区域，每行芯粒设定单-全测切换点，根据该单-全测切换点进行光电参数全测与电参数单测的切换。

进一步地，在晶片的中间区域，每行芯粒设置单-全测参考点。

进一步地，所述单-全测参考点设置在每行的起始区域。

进一步地，所述晶片的中间区域，每行芯粒设置有两个单-全测切换点，分别分布在该行的起始区域和终止区域。

进一步地，在晶片的中间区域，所述起始区域的单-全测切换点根据该行的起始区域的全测数值进行设置，当连续光电参数值为正常值的芯粒颗数达到预设值时，设置起始区域的单-全测参考点；所述终止区域的单-全测切换点根据前一行的单-全测参考点进行设置，其位于单-全测参考点相应位置的内侧。

进一步地，在对晶片中间区域的芯粒进行点测过程中，在每行的起始端先进行光电参数全测，到达第一个单-全测切换点时，切换为电参数单测，到达第二个单-全测切换点时，切换为光电参数全测，完成该行芯粒的点测。

进一步地，在对晶片进行点测前，采用抽测方式进行晶片的筛选。

目前，铝镓铟磷基发光二极管外延磊晶技术已做到光学参数（主要为波长和亮度）分布为：完整片边沿区域离散、中间区域集中性很好。本发明根据铝镓铟磷基LED晶片光学参数的集中性水平来自动判别允许只测电性的区域，从而通过对该区域芯粒由传统的光电参数全测自动切换成只测电性来节省光学参数测试的时间，测试速率显著提升，极大程度的提升了机台产能和降低了生产成本。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，逐渐地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。 

虽然在下文中将结合一些示例性实施及使用方法来描述本发明，但本领域技术人员应当理解，并不旨在将本发明限制于这些实施例。反之，旨在覆盖包含在所附的权利要求书所定义的本发明的精神与范围内的所有替代品、修正及等效物。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1为普通铝镓铟磷基发光二极管晶片的结构示意图。

图2为根据本发明实施的铝镓铟磷基发光二极管晶片点测线路图。

图3为根据图2所示点测线路实施的晶片局部区域的点测示意图。