[发明专利]半导体器件以及用于形成半导体封装的方法有效
| 申请号： | 201210055409.4 | 申请日： | 2012-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102738067B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑;陈康;Y·顾;W·蒙;C·S·安 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马丽娜,卢江 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 用于 形成 半导体 封装 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体管芯；
在所述半导体管芯上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第一导电层；以及
在所述第一绝缘层和所述第一导电层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有与所述第一绝缘层的热膨胀系数(CTE)不同的CTE。
2.根据权利要求1的方法，其中所述第一绝缘层的CTE在第一范围内。
3.根据权利要求2的方法，其中所述第二绝缘层的CTE在与所述第一范围不同的第二范围内。
4.根据权利要求1的方法，进一步包括：
利用多个驻留循环固化所述第一绝缘层以增强对所述半导体管芯的粘附；以及
利用多个驻留循环固化所述第二绝缘层以增强对所述第一绝缘层和所述第一导电层的粘附。
5.根据权利要求4的方法，其中所述多个驻留循环包括以第一温度持续第一时间周期的第一驻留步骤、以第二温度持续第二时间周期的第二驻留步骤、以及以第三温度持续第三时间周期的第三驻留步骤。
6.根据权利要求1的方法，进一步包括：
在所述第二绝缘层和所述第一导电层上形成所述第二导电层；以及
在所述第二绝缘层和所述第二导电层上形成第三绝缘层。
7.根据权利要求6的方法，进一步包括利用多个驻留循环固化第三绝缘层以阻挡湿气。
8.一种半导体器件，包括：
半导体管芯；
第一绝缘层，形成在所述半导体管芯上；
第一导电层，形成在所述第一绝缘层上；以及
第二绝缘层，形成在所述第一绝缘层和所述第一导电层上，所述第二绝缘层具有与所述第一绝缘层的热膨胀系数(CTE)不同的CTE。
9.根据权利要求8的半导体器件，其中所述第一绝缘层的CTE在第一范围内。
10.根据权利要求8的半导体器件，其中所述第二绝缘层的CTE在与第一范围不同的第二范围内。
11.根据权利要求8的半导体器件，进一步包括：利用多个驻留循环固化所述第一绝缘层以增强对所述半导体管芯的粘附，以及利用多个驻留循环固化所述第二绝缘层以增强对所述第一绝缘层和所述第一导电层的粘附。
12.根据权利要求11的半导体器件，其中所述多个驻留循环包括以第一温度持续第一时间周期的第一驻留步骤，以第二温度持续第二时间周期的第二驻留步骤、以及以第三温度持续第三时间周期的第三驻留步骤。
13.根据权利要求8的半导体器件，进一步包括：
第二导电层，形成在所述第二绝缘层和所述第一导电层上；以及
第三绝缘层，形成在所述第二绝缘层和所述第二导电层上，其中利用多个驻留循环将第二绝缘层或者第三绝缘层固化成致密状态以阻挡湿气。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
