[发明专利]光刻设备和器件制造方法有效

专利信息
申请号: 201210055428.7 申请日: 2012-03-05
公开(公告)号: CN102681351A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: H·K·尼恩黑斯;M·A·W·崔帕斯;L·M·莱瓦西尔;简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特;Y·J·G·范德维基沃尔;O·V·沃兹纳;F·J·J·詹森;D·M·H·菲利普斯;M·A·C·马兰达;O·加拉克季奥诺夫;L·J·A·凡鲍克霍文;N·坦凯特;M·兰詹;A·P·瑞吉普玛;K·巴尔;R·W·A·H·施密茨;A·L·C·勒鲁 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴敬莲
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 光刻 设备 器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光刻设备,包括:

衬底台,构造成保持衬底;

投影系统,配置成将图案化的辐射束投影通过开口并投影到衬底的目标部分上;

管道,具有位于开口内的出口,所述管道配置成将气体传送至所述开口;和

由控制系统控制的冷却设备,所述冷却设备配置成冷却所述气体以使得从开口行进至衬底的气体在其入射到所述衬底上时具有预定的温度。

2.如权利要求1所述的光刻设备,其中所述预定温度是光刻设备的参照温度。

3.如权利要求1所述的光刻设备,其中所述预定温度低于光刻设备的参照温度。

4.如权利要求2或3所述的光刻设备,其中冷却设备配置成将气体温度冷却至比光刻设备的所述参照温度低至少5K的温度。

5.如前述权利要求任一项所述的光刻设备,其中所述开口由连接至投影系统的壁的开口限定壁所限定,并且其中在开口限定壁和投影系统的壁之间设置间隙和/或隔热材料。

6.如前述权利要求任一项所述的光刻设备,其中管道包括导管,并且在导管和投影系统的壁之间设置间隙和/或隔热材料。

7.如前述权利要求任一项所述的光刻设备,还包括量测设备,所述量测设备配置成测量通过光刻设备投影到衬底上的图案的重叠,其中控制系统配置成基于从量测设备的输出来确定气体的预定温度的调节。

8.如前述权利要求任一项所述的光刻设备,其中所述出口是环形狭缝,并且其中环形狭缝的角部是被圆化的。

9.如前述权利要求任一项所述的光刻设备,其中管道包括围绕所述开口延伸的环形室,并且其中在环形室内设置折流板,所述折流板连接至散热器和/或连接至主动冷却设备。

10.如前述权利要求任一项所述的光刻设备,其中所述设备还包括热导管,所述热导管在一端部连接至所述开口的壁并且在相对的另一端部连接至温度控制设备。

11.如前述权利要求任一项所述的光刻设备,其中光刻设备还包括测量设备,所述测量设备配置成测量衬底的红外辐射反射率,并且其中所述控制系统配置成确定预定的气体温度的调节以考虑所测量的衬底的红外辐射反射率。

12.一种器件制造方法,包括下列步骤:

将图案化的辐射束通过投影系统中的开口投影到衬底上;

经由在所述开口中具有出口的管道将气体传送至投影系统中的所述开口;和

使用冷却设备来冷却所述气体以使得所述气体在所述气体通过所述开口之后入射到衬底上时具有预定温度。

13.如权利要求12所述的器件制造方法,其中预定温度是光刻设备的参照温度。

14.如权利要求13所述的器件制造方法,其中预定温度低于光刻设备的参照温度。

15.如权利要求12-14中任一项所述的器件制造方法,其中投影系统中的所述开口通过被连接至投影系统的壁的开口限定壁所限定,并且开口限定壁和光刻设备的其它部件之间的热导系数小于气体的每单位时间热容量的一半。

16.一种用在光刻设备中的槽道,所述槽道布置成提供冷却气体流至所述槽道的开口,所述开口在使用中面对光刻设备的衬底台,所述槽道通过槽道限定壁的斜坡内表面形成所述开口,并且所述槽道包括:

环形狭缝,形成在斜坡内表面内并且在横穿所述槽道的平面内具有环形周界,和

环形室,连接至环形狭缝并且包括构造并布置成接收用于将气体供给至环形室的导管的入口,

其中环形狭缝具有沿基本上垂直于横穿所述槽道的平面的方向上的狭缝宽度,所述狭缝宽度沿环形狭缝的周界变化,狭缝宽度的变化布置成在所述开口内部提供基本上均匀的气流场。

17.一种用在光刻设备中的槽道,所述槽道布置成将冷却气体流提供至所述槽道的开口,所述开口在使用中面对光刻设备的衬底台,所述槽道通过槽道限定壁的斜坡内表面形成所述开口,并且所述槽道包括:

环形狭缝,形成在斜坡内表面内并且在横穿所述槽道的平面内具有环形周界,和

环形室,连接至环形狭缝并且包括构造并布置成接收用于将气体供给至环形室的导管的入口,

其中流出用于供给气体的导管的气体流在沿环形狭缝的周界的方向上被引导。

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