[发明专利]半导体发光二极管表面处理方法无效
| 申请号： | 201210055499.7 | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN102544268A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 戴炜锋;周颖圆;李越生;李抒智;马可军 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海半导体照明工程技术研究中心 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光二极管 表面 处理 方法 | ||
1.一种半导体发光二极管表面处理方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
提供待处理的半导体发光二极管芯片；
提供等离子体处理设备，该等离子体处理设备具有等离子体真空腔体和等离子体放电功能；
清洁待处理的半导体发光二极管芯片并将其干燥；
将清洁并干燥后的待处理的半导体发光二极管芯片放入等离子体设备的等离子体真空腔体内；
将等离子体真空腔体进行抽真空；
在抽过真空的等离子体真空腔体内注入具化学惰性的气体，并控制等离子体真空腔体内的真空度；
对等离子体真空腔体内的惰性气体加电至高压；
经过预设的处理时间后停止等离子体放电，将半导体发光二极管芯片退出等离子体真空腔体。
2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管表面处理方法，其特征在于，将等离子体真空腔体进行抽真空的步骤中，抽真空至1-10Pa。
3.根据权利要求1所述的半导体发光二极管表面处理方法，其特征在于，在抽过真空的等离子体真空腔体内注入具化学惰性的气体，并控制等离子体真空腔体内的真空度的步骤中，注入的具化学惰性的气体为氮气或者氩气。
4.根据权利要求1或3所述的半导体发光二极管表面处理方法，其特征在于，在抽过真空的等离子体真空腔体内注入氩气或者氮气，并控制等离子体真空腔体内的真空度的步骤中，真空度保持在10Pa。
5.根据权利要求4所述的半导体发光二极管表面处理方法，其特征在于，作为上述步骤的进一步细化，处理时间设定为5-30分钟，加电电压为5千伏～20千伏。
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