[发明专利]发光二极管模组有效
申请号: | 201210056405.8 | 申请日: | 2012-03-06 |
公开(公告)号: | CN103311418B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 蔡明达;张超雄 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人: | 薛晓伟 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 模组 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体结构,尤其涉及一种发光二极管光源。
背景技术
发光二极管作为一种高效的发光源,具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛的运用于各种领域。
大部分的发光二极管的出光角度一般为90度至120度,其出光角中央(出光角约为0度至30度)的光线强度较强,周围的光线强度较弱,出光角中央强度较强的光线用于照明尚可,但周围强度较弱的光线因达不到照明的要求从而形成了光线的浪费,降低了发光二极管的光线利用率。为此,业界通过透镜来对发光二极管的光线进行调整,使周围的光线集中于发光二极管的中部上方而出射。然而,由于光线在透镜的出光面发生反射,部分光线从透镜的底部或侧边向外出射,从而导致这部分光线不被利用而浪费。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种能够提高发光二极管光线利用率的发光二极管模组。
一种发光二极管模组,其包括一发光二极管芯片及与之配合的一透镜,所述透镜包括一开设有空穴的导光部及自导光部凸设的粗糙结构,所述导光部具有一顶面,所述顶面所在区域为发光二极管的有效照明区域,所述发光二极管芯片收容在所述空穴内,且其发出的光线自顶面反射回透镜后,经所述粗糙结构反射及折射后自所述导光部的顶面向外出射。
本发明中,因发光二极管芯片发出的光线自顶面反射回透镜后,又经所述粗糙结构反射及折射后自所述导光部的顶面向外出射,避免了光线自顶面以外的其他区域出射后因达不到照明效果所造成的浪费,提高了发光二极管光源光线利用率。
附图说明
图1为本发明一较佳实施例的发光二极管模组的分解示意图。
图2为图1所示发光二极管模组的组装图。
图3为图2所示发光二极管模组中光线通过透镜结构的光路示意图。
主要元件符号说明
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