[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201210056479.1 | 申请日: | 2012-03-06 |
公开(公告)号: | CN103311447A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;黄辉;陈吉星 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件,尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高电流密度,高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中,10V下电流密度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
在传统的发光器件中,研究最多的就是底发射器件结构,以ITO玻璃基底为出光面,这种器件制备技术成熟,研究比较多,但是,由于光的出射会先经过ITO导电材料的吸收反射,再要进行一次玻璃的吸收和反射,最后才能出射到空气中,而由于玻璃表面比较平整,且对出光不能进行有效的折射和散射,因此,光出射到空气中的出射率是很低的,大部分的光都损失掉了。
发明内容
本发明所要解决的问题之一于提供一种出光率高的有机电致发光器件。
一种有机电致发光器件,包括依次层叠的基底、TiO2散射层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层;其中,基底优选玻璃基底。
所述有机电致发光器件中,各功能层的材质如下:
所述阳极层的材质选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(参铟的氧化锌)或AZO(掺铝的氧化锌);
所述空穴注入层的材质选自三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒;
所述空穴传输层的材质选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺;
所述发光层的材质为掺杂材料按照质量百分比1~20%的比例掺杂到主体材料中组成的混合材料;其中,掺杂材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3);主体材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑;
所述电子传输层的材质选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑;
所述电子注入层的材质选自碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂;
所述阴极层的材质选自银、铝、铂或金。
本发明所要解决的问题之二在于提供上述有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤;
S1、依次用洗洁精、去离子水超声清洗基底,干燥,备用;
S2、采用电子束或磁控溅射工艺,在清洗、干燥过的基底表面制备一层TiO2散射层;
S3、采用电子束或磁控溅射工艺,在TiO2散射层表面制备阳极层;
S4、采用蒸镀工艺,在阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层;
上述工艺步骤完成后,制得有机电致发光器件。
本发明提供的有机电致发光器件,在基底和阳极层之间制备一TiO2散射层,该TiO2散射层可以使从基底两侧发射出的光通过散射效应,散射到有机电致发光器件上,达到提供光出率和该有机电致发光器件的正面发光强度。
本发明提供的有机电致发光器件的制备方法,采用二氧化钛作为散射层,其二氧化钛价格低廉,来源丰富,而制备二氧化钛散射膜的方法与导电阳极薄膜的方法一致,简化了工序,降低了加工成本,适合商业化生产。
附图说明
图1为具体实施的有机电致发光器件结构示意图;
图2为实施例1制得的有机电致发光器件与对比例的有机电致发光器件之间的电流密度与流明效率的关系图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择