[发明专利]半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法

权利要求书

1.一种半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供基板；

步骤2、在基板上形成透明电极层、在透明电极层上形成第一金属层；

步骤3、通过第一道光罩制程以形成预定图案的栅极及像素电极，其中，该像素电极由透明电极层形成并暴露，该栅极由透明电极层及第一金属层形成；

步骤4、在栅极及像素电极上形成绝缘层；

步骤5、通过第二道光罩制程在上述绝缘层上形成预定图案的栅极绝缘层；

步骤6、在栅极绝缘层上形成半导体层、在半导体层及像素电极上形成第二金属层；

步骤7、通过第三道光罩制程在半导体层上形成预定图案的沟道层及在第二金属层上形成预定图案的漏极、源极及反射部，形成薄膜晶体管，其中，所述漏极电性连接于所述像素电极。

2.如权利要求1所述的半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，所述第一道光罩制程利用灰阶掩膜或半灰阶掩膜对透明电极层及第一金属层进行曝光、显影、蚀刻以形成预定图案的栅极与像素电极，所述栅极位于所述基板上，由部分透明电极层及设于该部分透明电极层上的部分第一金属层形成，所述像素电极与所述栅极分离设置，该像素电极由另一部分透明电极层形成。

3.如权利要求1所述的半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，所述第三道光罩制程利用灰阶掩膜或半灰阶掩膜对半导体层及第二金属层进行曝光、显影、蚀刻以形成预定图案的沟道层、漏极、源极及反射部，所述沟道层位于所述栅极绝缘层上，并部分延伸于所述像素电极，所述漏极与源极分离设置于所述沟道层的两端，该漏极一端沿所述沟道层延伸于所述像素电极上，所述反射部位于所述像素电极上。

4.如权利要求1所述的半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，所述透明电极层为氧化铟锡层。

5.如权利要求1所述的半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤7后还包括，步骤8、在薄膜晶体管上形成平坦化层。

6.如权利要求5所述的半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤8中的平坦化层为透明绝缘层。

7.如权利要求1所述的半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层、及透明电极层分别通过溅射制程而形成。

8.如权利要求5所述的半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，所述绝缘层、半导体层、及平坦层分别通过化学气相沉积而形成。