[发明专利]形成复数个半导体发光装置的方法无效
| 申请号： | 201210056945.6 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102891223A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞华;卢怡安 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司;财团法人成大研究发展基金会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;文琦 |
| 地址： | 孟帕里斯&卡尔德P.O.Box.3*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 复数 半导体 发光 装置 方法 | ||
1.一种形成复数个半导体发光装置的方法，包括：
形成一磊晶结构于一第一暂时基材上，其中所述磊晶结构包括一第一型掺杂层、一发光层及一第二型掺杂层；
藉由一第一粘着层，将一第二暂时基材耦接至所述磊晶结构的一上表面；
移除该第一暂时基材，以暴露出所述磊晶结构的一底面；
藉由一第二粘着层，将一永久半导体基材耦接至所述磊晶结构的所述底面；
移除所述第一粘着层与所述第二暂时基材；以及
于所述永久半导体基材上的所述磊晶结构上，形成复数个半导体发光装置。
2.如权利要求第1所述的复数个半导体发光装置的方法，更包含将所述磊晶结构与该永久半导体基材分离成复数个部分，以形成所述复数个半导体发光装置。
3.如权利要求第1所述的复数个半导体发光装置的方法，更包含切割所述磊晶结构与该永久半导体基材，使其分离成复数个部分，以形成所述复数个半导体发光装置。
4.如权利要求第1所述的复数个半导体发光装置的方法，更包含蚀刻或使用一激光将所述磊晶结构与所述永久半导体基材分离成复数个部分，以形成所述复数个半导体发光装置。
5.如权利要求第1所述的复数个半导体发光装置的方法，更包含于所述永久半导体基材与所述第二粘着层之间，形成一反射层。
6.如权利要求第1所述的复数个半导体发光装置的方法，更包含形成复数个第一接触垫在所述第一型掺杂层上，形成复数个第二接触垫在所述第二型掺杂层上，使得每个所述半导体发光装置的所述第一型掺杂层上具有至少一第一接触垫，以及所述第二型掺杂层上具有至少一第二接触垫。
7.如权利要求第1所述的复数个半导体发光装置的方法，其中所述第一型掺杂层包含一N型掺杂层，所述第二型掺杂层包含一P型掺杂层，所述发光层包含一多重量子井结构或一单层量子井结构。
8.如权利要求第1所述的复数个半导体发光装置的方法，更包含将所述磊晶结构的所述底面粗糙化。
9.如权利要求第1所述的复数个半导体发光装置的方法，更包含利用一激光剥离法以移除所述第一暂时基材，而暴露出所述磊晶结构的所述底面。
10.如权利要求第1所述的复数个半导体发光装置的方法，更包含利用一酸蚀刻制程，将所述第一粘着层与所述第二暂时基材由所述磊晶结构的所述上表面移除。
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