[发明专利]发光二极管芯片及该芯片的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在所述发光二极管芯片的晶圆的衬底的背面上，沿X和Y方向进行隐形切割；

2)蒸镀ODR层，得到镀膜片；

3)沿所述隐形切割形成的切痕压裂所述镀膜片，形成裂痕，置于劈裂机中劈裂，得到所述发光二极管芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆的厚度为180～220μm。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述切痕的宽度为22～28μm，所述切痕距离所述晶圆的衬底的背面42～48μm。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述切痕的数量为1～5条。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述切痕的数量为2～3条。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，蒸镀所述ODR层中的金属膜时所用金属镀膜机为光学镀膜机，所述光学镀膜机中高压箱的高压上限为10KV。

7.一种权利要求1～6中任一项所述方法制得的发光二极管芯片。