[发明专利]发光二极管封装和制造方法有效
申请号: | 201210057427.6 | 申请日: | 2012-03-06 |
公开(公告)号: | CN102683538A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | M·马格利特 | 申请(专利权)人: | 维亚甘有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/00 |
代理公司: | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 11269 | 代理人: | 严慎 |
地址: | 以色列奇*** | 国省代码: | 以色列;IL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 制造 方法 | ||
1.一种发光器件,所述发光器件包括:
半导体LED,所述半导体LED包括掺杂区和本征区,所述半导体LED的第一表面用在所述第一表面的至少一部分上方的导电金属化层来金属化;
光学许可层,所述光学许可层靠近所述半导体LED的第二表面,所述半导体LED的所述第一表面和所述第二表面位于所述半导体LED的相对的面上;
光学可限定材料,所述光学可限定材料靠近所述光学许可层或者位于所述光学许可层内,影响穿过所述光学许可层的发射光的光学特性;以及
光学许可覆盖衬底,所述光学许可覆盖衬底覆盖以上组件中的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的发光器件,还包括覆盖所述光学透射性覆盖衬底的至少一部分的透镜。
3.根据权利要求1所述的发光器件,还包括至少一个凹陷,所述至少一个凹陷形成在所述半导体LED中,达到在所述半导体LED的第一掺杂层和第一外部驱动电极之间允许电连接的深度。
4.根据权利要求1所述的发光器件,还包括靠近所述半导体LED的所述第一表面的钝化层,所述钝化层基本上是非导电的并且还设置有至少一对孔,以便导电电极与所述钝化层的连接。
5.根据权利要求4所述的发光器件,所述钝化层还包括成形边缘,所述成形边缘被构造用于将所述发光器件产生的光从所述成形边缘向外反射。
6.根据权利要求1所述的发光器件,还包括光学许可粘合层,所述光学许可粘合层耦合所述光学许可层和所述光学可限定材料。
7.根据权利要求1所述的发光器件,还包括机械偏置构件,所述机械偏置构件提供所述光学许可层和所述光学许可覆盖之间的空间间隔。
8.根据权利要求1所述的发光器件,还包括至少一个对准标记,所述至少一个对准标记指示在包括所述光学许可覆盖的一加工衬底中所述器件相对于所述光学许可覆盖的所要求位置。
9.一种制造发光器件的方法,所述方法包括:
在设置在光学许可层上的发光器件(LED)中,形成多个掺杂层;
在所述LED中形成凹陷,以在所述LED的第一掺杂层的深度处允许与所述LED的所述第一掺杂层电接触;
将所述LED的面的至少一部分金属化以形成金属化层,提供与靠近所述LED的所述面的所述LED的所述第一掺杂层和第二掺杂层的电接触;以及
使用光学许可粘合剂,以机械方式将所述光学许可层固定于光学许可覆盖衬底。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括将电绝缘钝化层施用于所述金属化层,并且进一步在所述钝化层中提供至少一对孔,以便对应的成对偏置电极与对应的所述LED的所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的电耦合。
11.根据权利要求9所述的方法,还包括在所述LED上放置一个或更多个对准标记,以使所述LED能相对于所述光学许可覆盖衬底正确定位。
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