[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第1半导体芯片，具有第1电极、设于所述第1电极的相反侧的第2电极，在所述第1电极与所述第2电极之间流动电流；

缓冲体，具有与所述第2电极电气性连接的下部金属箔、经由所述下部金属箔而设于所述第2电极上的陶瓷片、以及设于所述陶瓷片的与所述下部金属箔相反的一侧并与所述下部金属箔电气性连接的上部金属箔；以及

终端导线，其一端设于所述上部金属箔上并与所述上部金属箔电气性连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述陶瓷片由Al₂O₃、AlN、SiN中的任意一个构成。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述下部金属箔和所述上部金属箔通过连接导体电气性连接。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述连接导体设于所述陶瓷片的侧端部，

所述下部金属箔、所述上部金属箔以及所述连接导体由同一金属一体地形成。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述连接导体设于贯通所述陶瓷片的孔。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述连接导体是银焊锡。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述上部金属箔以及所述下部金属箔由铜或者铝构成。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2电极与所述下部金属箔通过焊料电气性连接。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1半导体芯片为二极管。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1半导体芯片，在设有所述第2电极的一侧具有控制所述第1电极和所述第2电极之间流动的所述电流的控制电极。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1半导体芯片为MOSFET以及IGBT中的任意一个。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备：陶瓷基板，在该陶瓷基板的一个表面具有第1布线图案和与所述第1布线图案相离而设的第2布线图案，

所述第1半导体芯片经由所述第1电极与所述第1布线图案电气性连接地设置，

所述终端导线的与所述一端相反的一侧的另一端电气性连接于所述第2布线图案。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

还具备：第2半导体芯片，该第2半导体芯片具有第3电极、设于所述第3电极的相反侧的第4电极，在所述第4电极侧的表面具有控制所述第3电极和所述第4电极之间流动的电流的第5电极，

所述陶瓷基板，在所述一个表面还具有设于关于所述第1布线图案与所述第2布线图案相反的一侧的第3布线图案，

所述第2半导体芯片被设置为经由所述第3电极电气性连接于所述第1布线图案，

所述第2半导体芯片的所述第4电极电气性连接于所述第2布线图案，

所述第2半导体芯片的所述第5电极电气性连接于所述第3布线图案。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

金属散热板，在表面搭载了所述陶瓷基板；

树脂匣，具有在所述金属散热板的所述表面上包围所述陶瓷基板的环状构造；

树脂盖，设于所述树脂匣的与所述金属散热板相反的一侧的所述环状构造的开口部；

第1外部取出端子，贯通所述树脂盖，固定于所述树脂盖，并电气性连接于所述第1布线图案上，

第2外部取出端子，贯通所述树脂盖，固定于所述树脂盖，并电气性连接于所述第2布线图案上，

第3外部取出端子，贯通所述树脂盖，固定于所述树脂盖，并电气性连接于所述第3布线图案上，以及

硅凝胶，充填于所述树脂匣内，覆盖所述第1半导体芯片以及所述第2半导体芯片。

15.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1电极是阴极电极，

所述第2电极是阳极电极。