[发明专利]具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计

权利要求书

1.具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计，其特征在于：主要结构由键合基底、敏感质量块、固定外框、组合梁、硅纳米线电阻、凹槽、阻尼孔组成，组合梁由检测梁、连接块、横向缓冲梁组成，硅纳米线电阻由硅纳米带电阻层、硅纳米带电阻正极、硅纳米带电阻负极组成；在键合基板（1）的四周区域键合有固定基座（3），固定基座（3）内侧四边的中心位置处连接有组合梁（4、5、6、7）的一端，组合梁（4、5、6、7）的另一端分别连接于敏感质量块（2）的四角部位，敏感质量块（1）上均布有阻尼孔（17），组合梁（4、5、6、7）的根部区域分别制作有硅纳米带电阻（8、9、10、11）。

2.根据权利要求1所述具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计，其特征在于：所述的键合基底（1）上制作有方形凹槽（12），敏感质量块（2）可在凹槽（12）内上下、左右、前后运动。

3.根据权利要求1所述具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计，其特征在于：所述的组合梁（4、5、6、7），结构相同，检测梁（18）连接于连接块（19）的中心位置，连接块（19）的两端分别连接于横向缓冲梁（21、22），横向缓冲梁（21、22）的另一端连接于横向缓冲梁（20、23）。

4.根据权利要求1所述具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计，其特征在于：所述的敏感质量块（2）四边的中心位置加工有组合梁运动空间（13、14、15、16），组合梁（4、5、6、7）分别嵌于组合梁运动空间（13、14、15、16）内，组合梁（4、5、6、7）可在组合梁运动空间（13、14、15、16）内上下、左右、前后运动。

5.根据权利要求1所述具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计，其特征在于：所述的硅纳米带电阻（8、9、10、11），结构相同，在硅衬底层（24）上制作有二氧化硅层（25），二氧化硅层（25）上制作有折形的硅纳米带电阻层（26），硅纳米带电阻层（26）的两端分别连接有硅纳米带电阻正极（27）、硅纳米带电阻负极（28）。