[发明专利]一种喷射沉积Si-Al合金电子封装材料的制备工艺无效
| 申请号： | 201210058570.7 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102534321A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 上海驰韵新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C21/02 | 分类号： | C22C21/02;C22C1/00 |
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| 地址： | 200090 上海市杨浦区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 喷射 沉积 si al 合金 电子 封装 材料 制备 工艺 | ||
1.一种喷射沉积Si-Al合金电子封装材料的制备工艺，其特征在于：该工艺包括以下步骤：
(1)采用喷射沉积的工艺制备Si-Al合金电子封装材料，合金中Si含量为40-60％，余量为Al，按质量比进行配比熔炼，除气变质处理完后将熔体温度升至1400℃-1500℃，将熔体倾入导流槽，流经漏斗后通过气体雾化器，对合金熔体进行熔体雾化处理，并沉积到喷射沉积设备的接受盘上。喷射沉积的工艺参数为：雾化气体为氮气，雾化压力为0.6-1MPa，熔体熔炼温度为1300℃-1450℃，导流槽和漏斗采用电阻加热温度补偿方法，使之温度保持在1400℃-1500℃，沉积盘的接受距离为650-750mm，得到的喷射沉积坯锭，相对密度达到了95％-98％。
(2)对喷射沉积坯锭进行去皮和端面，并用线切割工艺对坯锭进行切片处理。
(3)将沉积片装入热等静压炉腔中。
(4)将热等静压炉在100-150MPa压力和500℃-550℃温度下保压、保温0.5-3h，冷却后即获得Si-Al合金电子封装材料。
2.根据权利要求1所述的喷射沉积Si-Al合金电子封装材料的制备工艺，其特征在于，所得的喷射沉积Si-Al合金中初生硅相尺寸为6-30um，合金组织致密，没有发现微孔，初生硅相均匀弥散的分布在铝基体中。
3.根据权利要求1或2所述的喷射沉积Si-Al合金电子封装材料的制备工艺，其特征在于，在所述的第四步中，热等静压工艺简单易行。
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