[发明专利]用于微电子和微系统的结构的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造如下结构的方法，所述结构包括表面层(2、61)、至少一个掩埋层(4、34)、以及支架(6、72)，所述方法包括：

-在第一支架(6)上制造第一结构的第一步骤，所述第一结构包括第一层(4、34)，所述第一层具有由第一材料制成的第一区域以及包括空腔的至少一个第二区域，所述空腔中填充有第二材料，所述第二材料的蚀刻速率高于或低于所述第一材料的蚀刻速率；

-之后形成所述掩埋层以及形成所述表面层(2、61)的第二步骤，所述掩埋层由所述第一层形成，所述表面层(2、61)通过所述第一结构与第二支架(32、72)的组合而形成。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括打薄所述两个支架中的至少一个。

3.根据权利要求1或2所述的方法，包括蚀刻所述第一层(4、34)，以形成至少一个空腔(22、24、52、54)；之后，在所述空腔中沉积所述第二材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述组合通过分子键合或通过胶粘而进行。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述表面层(2、61)中制造至少一个开口(12)的步骤，以开口至所述掩埋层(4、34)的第一材料和第二材料中的具有较高蚀刻速率的材料。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括蚀刻所述第一材料和第二材料中的具有较高蚀刻速率的材料，以在所述掩埋层(4、34)中形成至少一个空腔(22、24、52、54)。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述空腔具有圆形、多边形、或椭圆形形状，或者在与所述底层(4、34)和表面层(2、61)的平面平行的平面中具有至少一个直角。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述空腔具有正方形或矩形形状。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料和所述第二材料中的具有较高蚀刻速率的材料由二氧化硅、热硅石、多晶硅、非晶硅或氮化硅制成。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料和所述第二材料中的具有较低蚀刻速率的材料由PSG型掺杂的氧化硅制成。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一材料和第二材料中的具有较低蚀刻速率的材料由BPSG型掺杂的氧化硅制成。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料和第二材料中的具有较低蚀刻速率的材料由Si₃N₄或SiO₂制成。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面层(2、61)由半导体制成。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述表面层(2、61)由硅、锗或SiGe制成。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面层(2、61)由压电材料、热电材料、或磁性材料制成。

16.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述表面层(2、61)中形成电子元件、或机电元件(18)中的至少一部分的步骤。

17.根据权利要求16所述的方法，包括在所述表面层(2、61)中形成微电子元件的至少一部分的步骤。

18.根据权利要求16所述的方法，包括在所述表面层(2、61)中形成MEMS元件的至少一部分的步骤。

19.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二材料的蚀刻速率高于所述第一材料的蚀刻速率。

20.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二材料的蚀刻速率低于所述第一材料的蚀刻速率。

21.根据权利要求20所述的方法，还包括在包含所述第一和第二材料的所述第一层上形成第二层(60)的步骤，所述第二层由第三材料制成，所述第三材料的蚀刻速率低于所述第一材料的蚀刻速率。

22.根据权利要求21所述的方法，所述第二材料和所述第三材料是相同的。

23.根据权利要求20至22中任一项所述的方法，其中，所述表面层通过所述第二层与所述第二支架(72)的组合而制成。