[发明专利]使用金属浆料金属化的正面触点太阳能电池制造无效
申请号: | 201210059105.5 | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN102683438A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·M·吉;查尔斯·F·盖伊 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 金属 浆料 金属化 正面 触点 太阳能电池 制造 | ||
1.一种太阳能电池装置,其包括:
衬底,其包括掺杂半导体材料;
形成在所述衬底上的表面,所述表面具有第二掺杂半导体层,所述第二掺杂半导体层具有与第一掺杂半导体材料相反的导电类型;
电介质层,其设置在所述衬底的表面上;
金属触点结构,其形成在所述电介质层中并具有第一预定横截面面积;以及
金属线,其形成在所述金属触点结构上并具有第二预定横截面面积,其中,所述第二预定横截面面积大于所述第一预定横截面面积。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述金属线的所述第二预定横截面面积构造成比所述金属触点构造的所述第一预定横截面面积大约10百分比和约200百分比之间。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述金属触点结构和所述金属线由银、银合金、铜(Cu)、锡(Sn)、钴(Co)、铼(Rh)、镍(Ni)、锌(Zn)、铅(Pb)或者铝(Al)中的至少一者制造。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述金属触点结构由Ag制造,并且所述金属线由Ag或者Cu制造。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述电介质层由从氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或上述各项组合中的至少一者选择的电介质材料制造。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述衬底是p型含掺杂硅材料。
7.一种用于制造用于太阳能电池装置的金属触点结构的方法,其包括如下步骤:
提供上面设置有电介质层的衬底;
在所述电介质层上选择性地设置触点金属浆料;
对设置在所述电介质层上的所述触点金属浆料进行烧制,以蚀穿所述电介质层,在所述电介质层中形成触点开口;
在所述触点开口中形成金属触点结构,所述触点开口在烧制处理过程中形成于由所述触点金属浆料蚀穿的所述电介质层中;并且
在形成在所述电介质层中的所述触点结构上选择性地设置金属线。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述触点金属浆料具有第一预定横截面面积,所述第一预定横截面面积用来在所述电介质层中形成具有所述第一预定横截面面积的所述金属触点结构。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,形成在所述金属触点结构上的所述金属线具有第二预定横截面面积,其中,所述第二预定横截面面积构造成大于所述第一预定横截面面积。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,形成在所述金属触点结构上的所述金属线具有第二预定横截面面积,并且所述金属线的所述第二预定横截面面积构造成比所述金属触点结构的所述第一预定横截面面积大约10百分比和约200百分比之间。
11.根据权利要求7所述的方法,其中,所述触点金属浆料包括至少金属元素和设置在所述触点金属浆料中的玻璃熔块。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,设置在所述触点金属浆料中的所述玻璃熔块在烧制处理过程中蚀穿所述电介质层。
13.根据权利要求7所述的方法,其中,所述触点金属浆料包括从银、银合金、铜(Cu)、锡(Sn)、钴(Co)、铼(Rh)、镍(Ni)、锌(Zn)、铅(Pb)或者铝(Al)中的至少一者选择的金属元素。
14.根据权利要求7所述的方法,其中,所述金属线和金属触点结构由Ag制造。
15.根据权利要求7所述的方法,其中,烧制所述触点结构还包括:
对所述衬底热退火到约600摄氏度和约900摄氏度之间的温度。
16.一种用于制造用于太阳能电池装置的金属触点结构的方法,其包括如下步骤:
提供上面设置有电介质层的衬底;
在所述电介质层中执行触点开口处理,以在所述电介质层中选择性地形成多个触点开口;
在形成在所述电介质层中的所述触点开口中设置金属触点,其中,所述金属触点包括连接到下部的顶部,其中,所述金属触点的所述顶部具有比形成在所述触点开口内的所述金属触点的所述下部的第二预定横截面面积大的第一预定横截面面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的