[发明专利]从衬底处理部件去除残余物

说明书

本发明涉及从衬底处理部件去除残余物。本发明从具有聚合物涂层于残余物下方的衬底处理部件的表面上去除残余物。一种形式中，以有机溶剂接触该部件表面，以去除该残余物而不伤害或去除该聚合物涂层。该残余物可为处理残余物或黏着剂残余物。可执行清洁处理作为再磨光处理的一部分。另一种形式中，藉由用激光扫描整个部件表面而烧蚀该残余物。又另一种形式中，藉由用等离子体切割器扫描整个部件表面来蒸发该残余物。

本申请是申请号为200780039050.9、申请日为2007年10月15日，发明名称为“从衬底处理部件去除残余物”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的实施例涉及从衬底处理部件的表面清洁残余物。

背景技术

在处理循环之间，必须周期性地清洁暴露于处理衬底的处理环境中的衬底处理室部件的表面。在衬底处理期间，将衬底置于处理室中并暴露于激发气体下，以在衬底上沉积材料或蚀刻衬底上的材料。沉积在部件表面上的处理残余物包括在化学气相沉积(CVD)或等离子体气相沉积(PVD)处理中沉积的材料、蚀刻的材料、或甚至是在蚀刻处理中去除的聚合物光刻胶。在接下来的处理周期中，累积的残余物会从部件表面成片剥落并落在衬底或室内部上且污染衬底或室内部。因此，利用清洁处理周期性地清洁部件表面，该清洁处理包括喷砂法(grit blasting)、使用溶剂或研磨料的擦洗、以及二氧化碳(CO2)喷洗法。然而，传统的清洁方法通常无法完全地清洁部件表面，这会造成部件表面的腐蚀或在部件表面上留下有机清洁沉积物的薄层。

处理残余物的清洁亦可能具有取决于部件表面的组成以及其上覆盖的残余物的独特问题。例如，某些部件表面容易受到传统清洁溶剂的伤害。例如，用聚合物密封剂密封的陶瓷部件(诸如，静电吸盘、碳化硅部件与铝质室壁)是难以清洁的。有机溶剂(诸如，丙酮与异丙醇)会分解、氧化或与这些涂层进行其它化学反应。用含碳聚合残余物涂覆的聚合物涂覆表面特别难以清洁，因为能够部分地分解聚合残余物的清洁溶剂亦可分解下层聚合物密封剂。

亦难以从部件(例如，室壁)清洁包括碳沉积物或氟化铝的处理残余物。喷砂处理室壁不仅会剥下碳残余物并且会刮伤或侵蚀陶瓷材料的表面。亦特别难以去除沉积在室壁上含有密集的氟化铝膜的残余物，因为氟化铝可耐大部分的化学清除剂。目前，利用HF/HNO₃混合物来蚀刻氟化铝；然而，该酸性混合物亦常常蚀刻下层陶瓷材料。当用电镀氧化铝薄层涂覆部件时，该电镀层亦会受到擦伤或蚀刻。

当从用于化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)、等离子体气相沉积(plasma vapor deposition，PVD)与蚀刻的室的部件上清洁黏性聚合残余物时又会产生另一问题。针对电介质与多晶硅(poly-silicon)蚀刻应用而言，必须在镕炉中加热部件长达数小时以燃尽(burn off)有机残余物，这个过程相当耗时。针对金属化学气相沉积与等离子体气相沉积室而言，目前的清洁方法系利用化学作用(NH₄OH/H₂O₂)来去除处理残余物。上述的化学作用在清洁溶液中使用有毒与危险的材料。亦可使用喷砂法，但这会造成从部件材料上去除至少一部分的薄层或在部件上留下砂粒沉积物。针对电介质化学气相沉积室而言，首先藉由喷砂法去除陶瓷室部件上的碳残余物，接着以HF/HNO₃混合物蚀刻上方覆盖的AlF₃沉积物，这两者皆可对下层部件造成侵蚀。