[发明专利]一种制备p型CuAlO2透明导电薄膜的方法

权利要求书

1. 一种制备p型CuAlO₂透明导电薄膜的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：首先，采用Cu₂O和Al₂O₃为原料，经过人工研磨或机械球磨4小时以上，使之混合均匀，将混合粉末装入压片机在30～50 MPa的压力下保持1～3分钟，制成直径为1.4 cm、厚度为 2.1 mm的圆柱状靶材坯料，将靶材坯料放入刚玉坩埚中盖好后置于单晶炉中，控制温度为1100^oC～1200^oC烧结10～15小时即得到CuAlO₂陶瓷靶材；然后，将烧制好的CuAlO₂陶瓷靶材放入电子束蒸发镀膜设备的铜坩埚或碳坩埚内，抽真空至1×10^-4Pa以下，在不通入任何反应气体的条件下，进行电子束蒸发镀膜，控制电子束流为20mA～250mA，蒸发时间为5～45 分钟，即得到p型CuAlO₂透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备p型CuAlO₂透明导电薄膜的方法，其特征在于：Cu₂O和Al₂O₃的纯度应在99.99%以上，经研磨后颗粒粒径为300～500 nm。

3.根据权利要求1所述的制备p型CuAlO₂透明导电薄膜的方法，其特征在于：圆柱状靶材坯料烧结制成陶瓷靶直径为1.3 cm，厚度为2 mm。

4.根据权利要求1所述的制备p型CuAlO₂透明导电薄膜的方法，其特征在于：在单晶炉中烧结，温度为1150^oC，时间为12小时，升温速率为5^oC/min，待烧结完成后，自然降温至80^oC以下取出。

5.根据权利要求1所述的制备p型CuAlO₂透明导电薄膜的方法，其特征在于：p型导电薄膜CuAlO₂的简单快速制备，由电子束蒸发镀膜设备制得，将烧制好的CuAlO₂陶瓷靶材放入电子束蒸发镀膜设备的铜坩埚或碳坩埚内，以充满坩埚的三分之二为宜，本底真空抽至1×10^-4 Pa以下进行薄膜沉积。

6.根据权利要求1所述的制备p型CuAlO₂透明导电薄膜的方法，其特征在于：p型CuAlO₂导电薄膜的厚度可以通过控制电子束流大小和沉积时间进行调节。

7.根据权利要求1所述的制备p型CuAlO₂透明导电薄膜的方法，其特征在于：在进行电子束蒸发镀膜时，以基板为普通玻璃载玻片，所制备的p型CuAlO₂导电薄膜的具有一定的透明性，通过调节制备参数可使其透射率达到70%以上。