[发明专利]电激发光显示面板的像素结构无效
申请号: | 201210059335.1 | 申请日: | 2012-03-08 |
公开(公告)号: | CN102593150A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 朱妙采;李孟庭 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激发 显示 面板 像素 结构 | ||
1.一种电激发光显示面板的像素结构,具有一第一子像素区、一第二子像素区、一第三子像素区与一第四子像素区,该电激发光显示面板的像素结构包括;
一第一阳极,设置于该第一子像素区内;
一第二阳极,设置于该第二子像素区内;
一第三阳极,设置于该第三子像素区内;
一第四阳极,设置于该第四子像素区内;
一第一有机发光层,设置于该第一子像素区与该第二子像素区内,用以于该第一子像素区产生一第一原色光,以及用以于该第二子像素区产生一第二原色光;
一第二有机发光层,设置于该第三子像素区与该第四子像素区内,用以于该第三子像素区产生一第三原色光,以及用以于该第四子像素区产生一第四原色光,其中该第一原色光、该第二原色光、该第三原色光与该第四原色光具有不同的波长频谱;
一第一阴极,设置于该第一子像素区内;
一第二阴极,设置于该第二子像素区内;
一第三阴极,设置于该第三子像素区内;以及
一第四阴极,设置于该第四子像素区内;
其中于该第一子像素区内,该第一阳极与该第一阴极之间形成一第一微共振腔,于该第二子像素区内,该第二阳极与该第二阴极之间形成一第二微共振腔,于该第三子像素区内,该第三阳极与该第三阴极之间形成一第三微共振腔,于该第四子像素区内,该第四阳极与该第四阴极之间形成一第四微共振腔,且该第一微共振腔、该第二微共振腔、该第三微共振腔与该第四微共振腔具有不同的共振腔长度。
2.根据权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构,其中该第一有机发光层为一单层有机发光层,且该第一有机发光层包括一第一有机发光材料,用以产生该第一原色光,以及一第二有机发光材料,用以产生该第二原色光,该第二有机发光层为一单层有机发光层,且该第二有机发光层包括一第三有机发光材料,用以产生该第三原色光,以及一第四有机发光材料,用以产生该第四原色光。
3.根据权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构,还包括:
至少一第一电洞传输层,位于该第一子像素区内;
至少一第二电洞传输层,位于该第二子像素区内;
至少一第三电洞传输层,位于该第三子像素区内;
至少一第四电洞传输层,位于该第四子像素区内;以及
其中该至少一第一电洞传输层、该至少一第二电洞传输层、该至少一第三电洞传输层与该至少一第四电洞传输层具有不同的厚度,以分别使该第一微共振腔、该第二微共振腔、该第三微共振腔与该第四微共振腔具有不同的共振腔长度。
4.根据权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构,还包括:
至少一第一透明电极层,位于该第一子像素区内;
至少一第二透明电极层,位于该第二子像素区内;
至少一第三透明电极层,位于该第三子像素区内;以及
至少一第四透明电极层,位于该第四子像素区内;
其中该至少一第一透明电极层、该至少一第二透明电极层、该至少一第三透明电极层与该至少一第四透明电极层具有不同的厚度,以分别使该第一微共振腔、该第二微共振腔、该第三微共振腔与该第四微共振腔具有不同的共振腔长度。
5.根据权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构,其中该电激发光显示面板为一上发光型电激发光显示面板,该第一阴极、该第二阴极、该第三阴极与该第四阴极分别包括一半穿透半反射电极,且该第一阳极、该第二阳极、该第三阳极与该第四阳极分别包括一反射电极。
6.根据权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构,其中该电激发光显示面板为一下发光型电激发光显示面板,该第一阳极、该第二阳极、该第三阳极与该第四阳极分别包括一半穿透半反射电极,且该第一阴极、该第二阴极、该第三阴极与该第四阴极分别包括一反射电极。
7.根据权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构,其中该第二子像素区与该第三子像素区相邻设置,该第一原色光的一波峰波长与该第二原色光的一波峰波长的差值大于50奈米,该第二原色光的该波峰波长与该第三原色光的一波峰波长的差值大于50奈米,且该第三原色光的该波峰波长与该第四原色光的一波峰波长的差值大于50奈米。
8.根据权利要求7所述的电激发光显示面板的像素结构,其中该第一原色光为一蓝光、该第二原色光为一黄光、该第三原色光为一绿光,且该第四原色光为一红光。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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