[发明专利]高显示质量的双闸极显示面板无效
申请号: | 201210059400.0 | 申请日: | 2012-03-08 |
公开(公告)号: | CN102566183A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 柳智忠 | 申请(专利权)人: | 深超光电(深圳)有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133;G09G3/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 质量 双闸极 面板 | ||
【技术领域】
本发明为有关一种显示面板,特别是关于一种高显示质量的双闸极显示面板。
【背景技术】
请参阅图1,在传统主动矩阵式的液晶显示器(LCD)中,其单闸极电路架构的每个画素具有一薄膜晶体管(TFT)10,其闸极连接至水平方向的扫描线12,源极连接至垂直方向的数据线14,汲极则连接至画素电极,邻行的薄膜晶体管10有各自连接的数据线14。
以下介绍此传统电路架构的基本操作方式,在水平方向上的同一条扫描线12上,所有薄膜晶体管10的闸极都连接在一起,所以施加电压是连动的,若在某一条扫描线12上施加足够大的正电压,则此条扫描在线所有的薄膜晶体管12都会被打开,此时该条扫描线12上的画素电极,会与垂直方向的数据线14连接,而经由垂直数据线14送入对应的视讯信号,以将画素电极充电至适当的电压。接着施加足够大的负电压,关闭薄膜晶体管10,直到下次再重新写入信号,其间使得电荷保存在液晶电容上;此时再启动一条水平扫描线12,送入其对应的视讯信号。如此依序将整个画面的视讯数据写入,再重新自第一条重新写入信号。
上述单闸极电路架构由于数据线14的数量过多,因此其消耗在源极芯片上的成本相当高,而为了减少此成本的消耗,后来的技术提出了一种双闸极电路架构,也就是如图2所示,相邻两行的薄膜晶体管16共享同一条数据线18,这样一来,就可以减少资料线18的使用数量,进而降低源极芯片的制造成本。
但是对于上述所提供的技术而言,其从电路布局来观察,如图3所示,扫描线20与共通电极线22属同一层金属层,且相距极近,所以在制作过程中,若有粒子不小心掉入面板当中,容易在制程完成后导致扫描线20与共通电极线22发生短路,进而导致面板显示上有横条暗线或是亮线等线不良问题,除此之外,因为在相邻扫描线20与相邻资料线18的二个电极层24为分别二个画素的画素显示区,而共通电极线22占到电极层24的透光区域的面积,使电极层24扣掉形成共通电极线22的金属层的透光区域部分变少,进而让整个面板的开口率有所损失。
【发明内容】
本发明主要目的,在于提供一种高显示质量的双闸极显示面板,其在同一道制程中,利用一金属层形成晶体管的源、汲极、数据线以及共通电极线,并将共通电极线置于相邻两行的晶体管之间,如此可提升显示面板的开口率,并避免扫描线与共通电极线在运作时发生短路。
为达上述目的,本发明提供一种高显示质量的双闸极显示面板,包含多条平行的扫描线与多条平行的数据线,扫描线包含有一第一扫描线与一第二扫描线,而数据线与扫描线互相垂直,并与多条共通电极线互相平行,且此些数据线中包含一第一资料线,共通电极线中包含一第一共通电极线与一第二共通电极线,显示面板还包含由资料线、扫描线、与共通电极线互相连接的多个双闸极画素单元,每一个双闸极画素单元连接一数据线、二扫描线与二共通电极线,每一条共通电极线分别位于相邻两行的双闸极画素单元之间,且连接其相邻两行的双闸极画素单元,每一个双闸极画素单元包含第一画素与第二画素,第一画素连接第一扫描线、第一共通电极线与第一数据线,而第二画素连接第二扫描线、第二共通电极线与第一资料线,该第一、第二画素位于第一扫描线与该第二扫描线的相异两侧,第一、第二共通电极线分别传输一第一共通电极讯号至第一画素与第二画素中,且第一数据线传输一数据讯号至第一画素与第二画素中,第一、第二扫描线则分别控制第一、第二画素接收数据讯号。
【附图说明】
下面结合附图和实施例对发明进一步说明:
图1与图2为现有技术的显示面板的电路示意图;
图3为现有技术的显示面板的电路布局(layout)结构示意图;
图4为本发明的液晶显示面板的电路示意图;
图5为本发明的双闸极画素单元的电路示意图;
图6为本发明的液晶显示面板的第一实施例的电路布局结构示意图;
图7为本发明的液晶显示面板的电路布局结构的局部放大示意图;
图8为图6的电路布局结构中沿A-A’切线的结构剖视图;
图9为本发明的液晶显示面板的第二实施例的电路布局结构示意图;
图10为本发明的液晶显示面板的第三实施例的电路布局结构示意图。
【具体实施方式】
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深超光电(深圳)有限公司,未经深超光电(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210059400.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:粒子回旋加速式原子炉
- 下一篇:肝脏储备功能分析仪