[发明专利]一种MOM电容及其制作方法有效
| 申请号： | 201210059683.9 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102593107A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 商庆杰;潘宏菽;张力江;付兴昌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 夏素霞 |
| 地址： | 050051 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mom 电容 及其 制作方法 | ||
1.一种MOM电容，包括正面金属电极（1）和二氧化硅介质层（2），其特征在于二氧化硅介质层（2）的背面设有两个硅支撑脚，在所述硅支撑脚之间设有背面金属电极（3），背面金属电极（3）的厚度小于硅支撑脚的高度。
2.一种MOM电容的制作方法，其特征在于步骤如下：
步骤一：将硅片（4）高温氧化，氧化温度950°C-1250°C，硅片（4）的上表面形成二氧化硅介质层（2）；
步骤二：在二氧化硅介质层（2）的上表面形成MOM电容的正面金属电极（1）；
步骤三：在形成的正面金属电极（1）的上表面粘贴透明的蓝宝石基片（5）；
步骤四：将硅片（4）减薄；
步骤五：对硅片（4）的背面进行光刻处理；
步骤六：腐蚀光刻掩膜（6）以外的硅，然后去除掩膜（6）；
步骤七：采用金属溅射和带胶选择电镀的方法，在硅片（4）内形成MOM电容的背面金属电极（3）；
步骤八：去除蓝宝石基片（5），将形成的整片MOM电容片粘在蓝膜上，进行划片，来分隔MOM电容。
3.根据权利要求2所述的一种MOM电容的制作方法，其特征在于所述二氧化硅介质层（2）的厚度为1000?-1.5μm。
4.根据权利要求2所述的一种MOM电容的制作方法，其特征在于所述正面金属电极（1）的厚度为1.5μm-10μm。
5.根据权利要求2所述的一种MOM电容的制作方法，其特征在于所述步骤四为：将硅片（4）减薄至80-120μm。
6.根据权利要求2所述的一种MOM电容的制作方法，其特征在于所述背面金属电极（3）的厚度为1.5μm-15μm。
7.根据权利要求2所示的一种MOM电容的制作方法，其特征在于所述步骤八为：去除蓝宝石基片（5），将形成的整片MOM电容片粘在蓝膜上，采用半导体芯片工艺中常用的金刚刀或砂轮划片来分隔MOM电容。
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