[发明专利]具有提高的稳定性的分布式放大器有效
申请号: | 201210060713.8 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102684610A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | K·贝松 | 申请(专利权)人: | 赫梯特微波公司 |
主分类号: | H03F1/08 | 分类号: | H03F1/08 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金晓 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 提高 稳定性 分布式 放大器 | ||
1.一种具有提高的稳定性的分布式放大器,包括:
输入传输电路;
输出传输电路;
至少一个共栅共源放大器,耦合在所述输入传输电路和输出传输电路之间,每一个共栅共源放大器包括耦合到所述输出传输电路的共用栅极配置的晶体管和耦合在所述输入传输电路和所述共用栅极配置的晶体管之间的共用源极配置的晶体管;以及
反馈网络,包括串联耦合在至少一个共用栅极配置的晶体管的栅极和漏极之间的非寄生电阻和电容,用于增加放大器的稳定性。
2.如权利要求1的分布式放大器,其中每一个共用栅极晶体管配置的漏极耦合在一起,以及每一个共用源极配置的晶体管的栅极耦合在一起。
3.如权利要求1的分布式放大器,其中每一个共栅共源放大器进一步包括一个或更多个附加的共用栅极晶体管,其直流耦合在每一个共用栅极配置的晶体管和共用源极配置的晶体管之间。
4.如权利要求3的分布式放大器,其中每一个反馈网络的电阻和电容包括串联耦合跨接一个或更多个附加的共用栅极配置的晶体管中的至少一个的栅极和漏极端子的电阻和电容。
5.如权利要求4的分布式放大器,其中每一个电阻具有大约800欧姆的值以及每一个电容具有大约1pF的值。
6.如权利要求4的分布式放大器,其中每一个电阻具有范围在20欧姆到10k欧姆之间的值。
7.如权利要求4的分布式放大器,其中每一个电容具有范围在.1pF到10pF之间的值。
8.如权利要求1的分布式放大器,其中每一个共用栅极配置的晶体管包括耦合在其对应的漏极和栅极之间的非寄生电阻和电容。
9.如权利要求1的分布式放大器,其中在所述输入传输电路和输出传输电路之间仅仅耦合有一个共栅共源放大器。
10.一种具有提高的稳定性的分布式放大器,包括:
输入传输电路;
输出传输电路;
至少两个共栅共源放大器,耦合在所述输入传输电路和输出传输电路之间,每一个共栅共源放大器包括耦合到所述输出传输电路的共用栅极晶体管和耦合在所述输入传输电路和所述共用栅极晶体管之间的共用源极晶体管;以及
反馈网络,包括耦合在至少一个共用栅极晶体管的栅极和漏极之间的电阻和电容,用于增加至少一个共用栅极晶体管的稳定性。
11.如权利要求10的分布式放大器,其中每一个共栅共源放大器进一步包括第二共用栅极晶体管,耦合在共用栅极晶体管和共用源极晶体管之间。
12.如权利要求10的分布式放大器,其中每一个共用栅极晶体管包括耦合在其对应的漏极和栅极之间的电阻和电容。
13.如权利要求10的分布式放大器,其中在所述输入传输电路和输出传输电路之间耦合有四至十个共栅共源放大器,包括四个和十个。
14.如权利要求10的分布式放大器,其中每一个电阻具有大约800欧姆的值以及每一个电容具有大约1pF的值。
15.如权利要求10的分布式放大器,其中每一个电阻具有范围在20欧姆到10k欧姆之间的值。
16.如权利要求10的分布式放大器,其中每一个电容具有范围在.1pF到10pF之间的值。
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