[发明专利]发光结构、包括发光结构的显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210061071.3 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102856507A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 李圣秀;宋沃根;金世一 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 结构 包括 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光结构,具有第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区,该发光结构包括:
第一空穴注入层;
在所述第一空穴注入层上的第一有机发光层;
在所述第一有机发光层上的电荷产生层;
在所述电荷产生层上的第二空穴注入层;
在所述第二空穴注入层上的第二有机发光层;
在所述第二有机发光层上的电子传输层;以及
在所述第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区至少之一处的阻挡元件。
2.根据权利要求1所述的发光结构,其中所述第一子像素区中的第一光学谐振距离、所述第二子像素区中的第二光学谐振距离和所述第三子像素区中的第三光学谐振距离彼此不同。
3.根据权利要求2所述的发光结构,进一步包括:
在所述第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区至少之一处的光程控制绝缘层。
4.根据权利要求3所述的发光结构,其中所述光程控制绝缘层位于所述第一空穴注入层的下方。
5.根据权利要求3所述的发光结构,其中所述光程控制绝缘层在邻近的子像素区中具有不同的厚度。
6.根据权利要求3所述的发光结构,其中所述光程控制绝缘层包括与所述第一空穴注入层的材料相同的材料。
7.根据权利要求3所述的发光结构,其中所述第一光学谐振距离被调节以产生由所述第一有机发光层或所述第二有机发光层发射的红光的光学谐振,所述第二光学谐振距离被调节以产生由所述第一有机发光层或所述第二有机发光层发射的绿光的光学谐振,并且所述第三光学谐振距离被调节以产生由所述第一有机发光层或所述第二有机发光层发射的蓝光的光学谐振。
8.根据权利要求7所述的发光结构,
其中所述第一有机发光层包括蓝光发射膜,并且
其中所述第二有机发光层包括绿光发射膜和红光发射膜或适于发射绿光和红光的单个发光膜。
9.根据权利要求8所述的发光结构,其中所述阻挡元件在所述第一子像素区处位于所述电荷产生层和所述第一有机发光层之间,所述阻挡元件适于阻止电子在所述第一子像素区从所述电荷产生层到所述第一有机发光层的迁移。
10.根据权利要求8所述的发光结构,其中所述阻挡元件在所述第一子像素区处位于所述第一空穴注入层和所述第一有机发光层之间,所述阻挡元件适于阻止在所述第一子像素区处由所述第一有机发光层产生的激子的迁移。
11.根据权利要求7所述的发光结构,
其中所述第一有机发光层包括绿光发射膜和红光发射膜或适于发射绿光和红光的单个发光膜,并且
其中所述第二有机发光层包括蓝光发射膜。
12.根据权利要求11所述的发光结构,其中所述阻挡元件在所述第一子像素区处位于所述电子传输层和所述第二有机发光层之间,所述阻挡元件适于阻止电子在所述第一子像素区处到所述第二有机发光层的迁移。
13.根据权利要求11所述的发光结构,其中所述阻挡元件在所述第一子像素区处位于所述第二空穴注入层和所述第二有机发光层之间,所述阻挡元件适于阻止在所述第一子像素区处由所述第二有机发光层产生的激子的迁移。
14.根据权利要求1所述的发光结构,其中所述阻挡元件包括电子阻挡层或激子猝熄层。
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