[发明专利]硅层转印基板以及半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种硅层转印基板，包括：

作为第一基板的硅基板；

牺牲层；以及

转印至第二基板的转印硅层，

其中所述牺牲层具有硅化合物层，所述硅化合物层含有由硅以及选自锗和碳中的至少一种元素构成的化合物，并且所述牺牲层被设置在所述作为第一基板的硅基板上，所述硅化合物层的厚度等于或小于临界膜厚度，

所述转印至第二基板的转印硅层被设置在所述牺牲层上，并且

所述硅基板或所述硅层中的至少一者具有与所述牺牲层相连的沟槽或孔。

2.根据权利要求1所述的硅层转印基板，其中所述硅化合物层含有由硅、锗和碳构成的化合物。

3.根据权利要求1所述的硅层转印基板，

其中所述牺牲层具有多个硅化合物层，

所述硅化合物层包括含有由硅和锗构成的化合物的第一硅化合物层、以及含有由硅和碳构成的化合物的第二硅化合物层，所述第一硅化合物层和所述第二硅化合物层作为所述硅化合物层交替层叠，并且

每个所述硅化合物层的厚度均等于或小于临界膜厚度。

4.根据权利要求1所述的硅层转印基板，

其中所述牺牲层具有所述硅化合物层和硅层，所述硅化合物层含有由硅以及锗或碳构成的化合物，并且所述硅层不同于所述转印硅层，

并且所述硅化合物层和所述硅层交替层叠，以及所述硅化合物层与所述转印硅层接触，所述硅化合物层的厚度等于或小于临界膜厚度。

5.根据权利要求1所述的硅层转印基板，

其中所述牺牲层具有所述硅化合物层和化合物半导体层，所述硅化合物层含有由硅以及锗或碳构成的化合物，

并且所述硅化合物层和所述化合物半导体层交替层叠，并且所述硅化合物层与所述转印硅层接触，所述硅化合物层和所述化合物半导体层的厚度均等于或小于临界膜厚度。

6.根据权利要求5所述的硅层转印基板，其中所述化合物半导体层含有镓和磷。

7.根据权利要求3所述的硅层转印基板，其中所述牺牲层具有多个硅化合物层，其为2层至约20层。

8.根据权利要求4所述的硅层转印基板，其中所述牺牲层具有多个层，其为2层至约20层。

9.根据权利要求5所述的硅层转印基板，其中所述牺牲层具有多个层，其为2层至约20层。

10.根据权利要求3所述的硅层转印基板，其中所述牺牲层的总厚度为约50nm至约3μm。

11.根据权利要求4所述的硅层转印基板，其中所述牺牲层的总厚度为约50nm至约3μm。

12.根据权利要求5所述的硅层转印基板，其中所述牺牲层的总厚度为约50nm至约3μm。

13.一种制造半导体基板的方法，包括：

制备根据权利要求1所述的硅层转印基板；

将第二基板接合至所述硅层转印基板的所述转印硅层，从而获得复合基板；

通过使所述复合基板与用于刻蚀所述牺牲层的刻蚀剂接触，从而通过所述沟槽或所述孔除去至少部分的所述牺牲层；以及

将具有所述转印硅层的所述第二基板与通过除去至少部分的所述牺牲层而获得的所述复合基板分离。

14.一种制造半导体基板的方法，包括：

制备根据权利要求2所述的硅层转印基板；

将第二基板接合至所述硅层转印基板的所述转印硅层，从而获得复合基板；

通过使所述复合基板与用于刻蚀所述牺牲层的刻蚀剂接触，从而通过所述沟槽或所述孔除去至少部分的所述牺牲层；以及

将具有所述转印硅层的所述第二基板与通过除去至少部分的所述牺牲层而获得的所述复合基板分离。

15.一种制造半导体基板的方法，包括：

制备根据权利要求3所述的硅层转印基板；

将第二基板接合至所述硅层转印基板的所述转印硅层，从而获得复合基板；

通过使所述复合基板与用于刻蚀所述牺牲层的刻蚀剂接触，从而通过所述沟槽或所述孔除去至少部分的所述牺牲层；以及

将具有所述转印硅层的所述第二基板与通过除去至少部分的所述牺牲层而获得的所述复合基板分离。