[发明专利]抗软化氮化硅梯度掺杂石英坩埚制备方法无效
申请号: | 201210061354.8 | 申请日: | 2012-03-10 |
公开(公告)号: | CN102531351A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 吕晋;齐国超;沈聿耕 | 申请(专利权)人: | 锦州聚泰石英玻璃有限公司 |
主分类号: | C03B20/00 | 分类号: | C03B20/00 |
代理公司: | 沈阳世纪蓝海专利事务所 21232 | 代理人: | 黄玉杰 |
地址: | 121016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 软化 氮化 梯度 掺杂 石英 坩埚 制备 方法 | ||
1.一种抗软化氮化硅梯度掺杂石英坩埚制备方法,其特征在于:以石英为主原料,在其内侧进行氮化硅掺杂,其中靠近坩埚内部为氮化硅层,外部为石英层,中间是石英/氮化硅过渡层,在氮化硅掺杂过程中将石英粉和氮化硅粉分层布料,在制作石英坩埚的装料过程中,将石英粉和氮化硅粉按定量配比进行分层布料,通过调整石英粉和氮化硅粉的含量呈梯度分布,既使氮化硅含量由内至外逐渐降低,具体的制备方法如下,
配料:将氮化硅粉与石英粉按氮化硅粉 + 石英粉进行掺杂;
梯度布料:先将石英粉撒布在电弧炉内衬旋转的石墨基体上作为底料,然后分别将配好的氮化硅粉 + 石英粉的混合料依次均匀散布在石英粉底料上,最后在料层的最内侧布一层氮化硅粉;
电弧炉熔炼:布料结束后,送入电弧炉进行熔炼;使熔炼室温度达到2000℃以上,使物料充分熔化,逐渐降低电压电流直至弧光熄灭后停止供电,坩埚随炉冷却10钟将其取出;
倒棱和抛光:待坩埚充分冷却后,先在切边机上切掉顶部多余部分,接着对坩埚进行倒棱和抛光;
超声波清洗:用高纯水超声波清洗冷却后的坩埚表面污渍;
高压清洗:再用高压清洗机对坩埚彻底清洗;
成品检验:烘干后经过检验合格成为成品。
2.根据权利要求1所述的一种抗软化氮化硅梯度掺杂石英坩埚制备方法,其特征在于:石英粉+氮化硅粉梯度层的厚度为0.1-5mm。
3.根据权利要求1所述的一种抗软化氮化硅梯度掺杂石英坩埚制备方法,其特征在于:配料比为 氮化硅 粉 :(石英粉 + 氮化硅粉)= x :100,其中x 取值范围为0-100。
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