[发明专利]一种用于去除硅晶片表面氧沉积物的硅晶片退火方法无效
| 申请号： | 201210061383.4 | 申请日： | 2012-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102586886A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李建宏;菅瑞娟;张雪囡;陈峰;王刚;王岩 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 去除 晶片 表面 沉积物 退火 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种用于去除硅晶片表面氧沉积物的硅晶片退火方法，其特征在于：步骤为
⑴、对马弗炉进行温度设定，温度设定如下：2.5小时由室温升温至850℃，保持850℃4小时，以140℃/h的速率降温至室温停炉；
⑵、将硅片放置于石英架上，石英架放置于马弗炉内；
⑶、开机前以40~60slpm流量向马弗炉通入CO气体将马弗炉内空气置换，置换时间20~30分钟；
⑷、置换完成后，以40~60slpm流量通入纯CO气体并开机自动运行，气氛压力为常压；
[5]、退火完成后将硅片和石英架取出。
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