[发明专利]PVA像素电极及相应的液晶显示装置有效
申请号: | 201210061732.2 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102540592A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 姚晓慧;许哲豪;薛景峰;董成才 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/139 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 欧阳启明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | pva 像素 电极 相应 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示领域,特别是涉及一种可提高像素的穿透率和显示质量的PVA像素电极及相应的液晶显示装置。
背景技术
PVA(Patterned Vertical Alignment,图像垂直调整技术)作为液晶VA(Vertical Alignment,垂直调整技术)显示中的一种模式,其利用TFT(Thin film transistor,薄膜场效应管)和CF(彩色滤光片,color filter))侧的图案形成的电场来控制液晶的指向,可以省去PI(polyimide)层的摩擦取向工艺。
传统上采用的PVA像素结构,如图1A和图1B所示,图1A为现有技术的PVA像素电极的位于TFT侧的第一电极10的结构示意图,图1B为现有技术的PVA像素电极的位于CF侧的第二电极20的反向结构示意图。由于这种形状的PVA像素电极的边缘与内部结构的差异,导致PVA像素边缘电场分布异于内部,在液晶上产生边缘场效应,使得在TFT和CF侧电极的边缘交接处产生旋转位移(disclination),影响像素的显示质量和降低像素的开口率,如图5A所示,图中做了标记的地方由于边缘场效应,液晶产生了旋转位移,使得像素出现暗纹,穿透率降低,影响像素的显示质量。
故,有必要提供一种PVA像素电极及相应的液晶显示装置,以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明针对现有技术的PVA像素电极及相应的液晶显示装置的PVA像素在液晶上产生边缘场效应影响像素的显示质量和降低像素的开口率的缺陷,提供一种通过修改TFT侧和/或CF侧的边缘交界处的ITO(Indium-Tin Oxide,氧化铟锡)间隙消除边缘场效应以达到提高像素的穿透率和显示质量的效果的PVA像素电极及相应的液晶显示装置。
本发明的主要目的在于提供一种PVA像素电极,包括:位于TFT侧的第一电极;以及位于CF侧的与所述第一电极相应的第二电极,通过施加在所述第一电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向,所述第一电极和所述第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角,其中通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极设置不等长的ITO间隙使得所述第一电极和相应的第二电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。
本发明的主要目的还在于提供一种PVA像素电极,包括:位于TFT侧的第一电极;以及位于CF侧的与所述第一电极相应的第二电极,通过施加在所述第一电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向,所述第一电极和所述第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角,其中通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第二电极设置不等长的ITO间隙使得所述第一电极和相应的第二电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。
本发明的主要目的还在于提供一种PVA像素电极,包括:位于TFT侧的第一电极;以及位于CF侧的与所述第一电极相应的第二电极,通过施加在所述第一电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向,所述第一电极和所述第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角,其中通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极和所述第二电极设置不等长的ITO间隙使得所述第一电极和相应的第二电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。
本发明的主要目的还在于提供一种液晶显示装置,包括:液晶;用于控制所述液晶转向的TFT;用于在显示器上显示不同颜色的CF;以及PVA像素电极;所述PVA像素电极包括:位于TFT侧的第一电极;以及位于CF侧的与所述第一电极相应的第二电极,通过施加在所述第一电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向,所述第一电极和所述第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角,其中通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极和/或所述第二电极设置不等长的ITO间隙使得所述第一电极和相应的第二电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。
在本发明的一实施例中,设所述第一电极和相应的第二电极之间的间距为S,相邻间距S之间的差值为ΔS,所述ΔS在像素内到像素外的方向上先增后减。
在本发明的一实施例中,所述第一电极设置的相邻ITO间隙的长度差为1um至10um。
在本发明的一实施例中,所述第二电极设置的相邻ITO间隙的长度差为1um至10um。
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