[发明专利]MOS晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管，其特征在于包括：布置在衬底中的阱区、以及布置在源极及漏极之间的栅极、布置在所述源漏阱区中的位于源极及漏极之间的轻掺杂区、布置在所述源漏阱区中的源极及漏极；其中，源极及漏极的上表面低于栅极的栅极氧化物的下表面；并且，所述轻掺杂区位于所述栅极的下方。

2.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管是0.35um以上栅长的MOS晶体管。

3.一种MOS晶体管的制造方法，其中所述MOS晶体管包括：布置在衬底中的源漏阱区、布置在所述源漏阱区中的源极及漏极、布置在所述源漏阱区中的位于源极及漏极之间的轻掺杂区、以及布置在源极及漏极之间的栅极；其中，源极及漏极的上表面低于栅极的栅极氧化物的下表面；并且，所述轻掺杂区位于所述栅极的下方；其特征在于所述制造方法包括：

在生长了栅氧和多晶硅的衬底上涂覆光刻胶，并执行光刻以形成源漏区；利用所述光刻胶刻蚀多晶硅和栅氧；

利用所述光刻胶刻蚀硅衬底；以及

利用所述光刻胶分别进行阱注入、轻掺杂区注入和源漏注入。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述MOS晶体管是0.35um以上栅长的MOS晶体管。

5.根据权利要求3或4所述的制造方法，其特征在于，在利用所述光刻胶分别进行阱注入、轻掺杂区注入和源漏注入的步骤中，源漏阱区的注入角度为30-45度，轻掺杂区是注入角度为10-30度，源极及漏极的注入角度为0度。