[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供基底；

在所述基底上依次形成负光刻胶层和正光刻胶层；

对所述负光刻胶层和正光刻胶层进行曝光，所述曝光的曝光能量具有第一阈值和第二阈值，且第一阈值大于第二阈值，在第一阈值的曝光能量作用下在正光刻胶层中形成第一曝光区，在第二阈值的曝光能量作用下在负光刻胶层中形成第二曝光区，第二曝光区的宽度大于第一曝光区的宽度；

进行第一显影，去除正光刻胶层中的第一曝光区，形成第一开口，所述第一开口暴露负光刻胶层表面；

沿所述第一开口刻蚀负光刻胶层的第二曝光区，形成第二开口，所述第二开口暴露基底表面；

去除第一显影后的正光刻胶层；

进行第二显影，去除负光刻胶层的第二曝光区以外的光刻胶，形成双图形化的负光刻胶图形。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述正光刻胶层中具有光酸产生剂和树脂。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述光酸产生剂在大于等于第一阈值的曝光能量作用下产生光酸，光酸与正光刻胶层中的树脂反应形成第一曝光区，光酸产生剂在小于第一阈值的曝光能量作用下不产生光酸。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述负光刻胶层为光致交联型负光刻胶、光致聚合型负光刻胶或光致极性转变负光刻胶。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二曝光区的宽度为第一曝光区宽度的1.5～4.5倍。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二曝光区的宽度为第一曝光区宽度的3倍。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一显影采用的显影液为水溶性的碱性溶液，正光刻胶层的第一曝光区溶于水溶性的碱性溶液，正光刻胶层的第一曝光区外的其他区域不溶于水溶性的碱性溶液。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二显影采用的显影液为有机溶液，负光刻胶层的第二曝光区不溶于有机溶液，负光刻胶层的第二曝光区外的其他区域溶于有机溶液。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二显影采用的显影液为水溶性的碱性溶液，负光刻胶层的第二曝光区不溶于水溶性的碱性溶液，负光刻胶层的第二曝光区外的其他区域溶于水溶性的碱性溶液。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀负光刻胶层的第二曝光区采用反应离子刻蚀工艺。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述反应离子刻蚀工艺采用的气体为氧气。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除第一显影后的正光刻胶层的步骤与刻蚀负光刻胶层的第二曝光区的步骤为同一步骤。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除第一显影后的正光刻胶层的步骤与进行第二显影的步骤为同一步骤。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述负光刻胶层和基底之间还形成有抗反射涂层。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗反射涂层为有机抗反射涂层或无机抗反射涂层。

16.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗反射涂层的厚度范围为100～1500埃。

17.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述负光刻胶层和正光刻胶层进行曝光后，还包括步骤：对所述基底进行曝光后烘工艺。

18.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述正光刻胶层的厚度为500～3000埃，所述负光刻胶层的厚度为500～3000埃。

19.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成负光刻胶层和正光刻胶层的工艺为旋涂工艺。