[发明专利]惠斯登电桥交流LED器件及其制造方法

权利要求书

1.一种惠斯登电桥交流LED器件的制造方法，包括如下步骤：

提供具有串联的LED的衬底；

对所述衬底进行切割，得到多个第一LED模块和第二LED模块，其中，每个第一LED模块和每个第二LED模块至少包括两个LED，所述第一LED模块和第二LED模块的数量比小于等于4∶1，所述第二LED模块的面积大于所述第一LED模块的面积；

将所述第一LED模块作为桥臂和所述第二LED模块作为中间臂封装成惠斯登电桥交流LED器件。

2.根据权利要求1所述惠斯登电桥交流LED器件的制造方法，其特征在于，还包括：对所述衬底进行切割之前，对所述串联的LED进行测试，并根据测试结果选择性的对所述串联的LED的衬底进行激光划片。

3.根据权利要求1所述惠斯登电桥交流LED器件的制造方法，其特征在于，通过如下工艺步骤形成具有串联的LED的衬底：

提供一衬底，在所述衬底上由下至上依次形成N型限制层、外延层和P型接触电极层；

制作至少九个贯穿P型接触电极层、外延层、N型限制层的隔离沟槽，以在衬底上方隔离出至少十个区域，每个区域对应一个LED；

在每个所述区域内制作一个与隔离沟槽相连通的N型接触电极台阶，所述N型接触电极台阶贯穿P型接触电极层、外延层；

在P型接触电极层、N型接触电极台阶的表面及隔离沟槽的内表面沉积隔离介质层；

通过光刻、刻蚀工艺去除与每个隔离沟槽紧邻的部分隔离介质层，分别暴露出部分P型接触电极层和部分N型限制层，在所暴露出的部分P型接触电极层、部分N型限制层和隔离沟槽内及隔离沟槽表面上沉积金属，一次制作出N电极、P电极和用于连接相邻LED的电极的互联金属层，形成具有串联LED的衬底。

4.根据权利要求3所述惠斯登电桥交流LED器件的制造方法，其特征在于：形成具有串联的LED的衬底的工艺步骤后，还包括：减薄所述衬底。

5.根据权利要求3所述惠斯登电桥交流LED器件的制造方法，其特征在于：在所述衬底上形成N型限制层之前，还包括：在所述衬底上形成氮化物缓冲层。

6.根据权利要求3所述惠斯登电桥交流LED器件的制造方法，其特征在于：所述外延层包括多量子阱有源层和形成于多量子阱有源层上的P型限制层。

7.根据权利要求6所述惠斯登电桥交流LED器件的制造方法，其特征在于：在所述N型限制层上形成所述外延层的步骤中，在形成P型限制层之前，还包括：沉积P型氮化物层。

8.根据权利要求3所述的惠斯登电桥交流LED器件的制造方法，其特征在于：所述N型接触电极台贯穿P型接触电极层、外延层并延伸到部分N型限制层中。

9.根据权利要求3所述惠斯登电桥交流LED器件的制造方法，其特征在于：所述N电极、P电极和互联金属层所使用的导电材料相同。

10.根据权利要求9所述惠斯登电桥交流LED器件的制造方法，其特征在于：所述N电极、P电极和互联金属层的材料为镍金合金，或铬金合金。

11.根据权利要求1至10中任一项所述惠斯登电桥交流LED器件的制造方法，其特征在于：采用板上晶片直装对所述第一LED模块和第二LED模块进行封装。

12.根据权利要求11中所述惠斯登电桥交流LED器件的制造方法，其特征在于：形成惠斯登电桥交流LED器件之后，还包括：在所述惠斯登电桥交流LED器件上涂覆荧光粉硅胶。

13.一种根据权利要求1至12中任一项所述的惠斯登电桥交流LED器件的制造方法制得的惠斯登电桥交流LED器件，其特征在于，包括：

四个第一LED模块和一个第二LED模块，所述第一LED模块作为桥臂，所述第二LED模块作为中间臂，每个第一LED模块和每个第二LED模块分别包括至少两个LED，其中，所述第二LED模块的面积大于所述第一LED模块的面积。