[发明专利]一种轨到轨使能信号的控制方法、电路及电平转换电路有效
申请号: | 201210062731.X | 申请日: | 2012-03-07 |
公开(公告)号: | CN103312313A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 黄雷 | 申请(专利权)人: | 快捷半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 武晨燕;程立民 |
地址: | 215021 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 轨到轨使能 信号 控制 方法 电路 电平 转换 | ||
1.一种电平转换电路,其特征在于,所述电平转换电路包括:P沟道金属氧化物半导体场效应管PMOS(M10)、电阻(R3);其中,
所述PMOS(M10),配置为在漏极接收输入信号的第一信号,根据第一信号的高低电平,控制自身状态为导通或截止;所述第一信号在电源掉电时为低电平;
所述电阻(R3),配置为在所述PMOS(M10)导通时,保持使能信号输出节点输出使能信号;在所述PMOS(M10)截止时,保持使能信号输出节点输出去使能信号。
2.根据权利要求1所述电平转换电路,其特征在于,所述PMOS(M10)的衬底连接电源,漏极连接输入信号的第一信号,源极连接电阻(R3),栅极连接电源地;电阻(R3)在PMOS(M10)的源极和去使能信号提供节点之间。
3.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述电平转换电路还包括N沟道金属氧化物半导体场效应管NMOS(M11),配置为在栅极接收输入信号的第二信号,在电源电压正常或掉电时,控制自身状态为导通,限制电阻(R3)的电流;
所述NMOS(M11)设置在PMOS(M10)与电阻(R3)之间,所述NMOS(M11)的衬底连接去使能信号提供节点,漏极连接PMOS(M10)的源极,源极连接电阻(R3),栅极连接输入信号的第二信号。
4.根据权利要求3所述的电平转换电路,其特征在于,所述电平转换电路还包括NMOS(M12),配置为在电源电压正常,输入信号为低电平时,快速拉低使能信号输出节点的电平;
所述NMOS(M12)的衬底连接去使能信号提供节点,栅、漏极连接所述NMOS(M11)的源极及所述电阻(R3),源极连接电源地。
5.一种轨到轨使能信号的控制电路,其特征在于,该控制电路包括:电平转换电路,配置为接收输入信号的第一信号,按照第一信号的高低电平进行使能控制;在电源掉电时输出去使能信号。
6.根据权利要求5所述的控制电路,其特征在于,所述电平转换电路,包括:PMOS(M10)、电阻(R3);其中,
所述PMOS(M10),配置为在漏极接收输入信号的第一信号,根据第一信号的高低电平,控制自身状态为导通或截止;所述第一信号在电源掉电时为低电平;
所述电阻(R3),配置为在所述PMOS(M10)导通时,保持使能信号输出节点输出使能信号;在所述PMOS(M10)截止时,保持使能信号输出节点输出去使能信号。
7.根据权利要求6所述的控制电路,其特征在于,所述PMOS(M10)的衬底连接电源,漏极连接输入信号的第一信号,源极连接电阻(R3),栅极连接电源地;电阻(R3)在PMOS(M10)的源极和去使能信号提供节点之间。
8.根据权利要求6所述的控制电路,其特征在于,该控制电路还包括:缓冲器,配置为获得输入信号的第一信号,将第一信号接入所述电平转换电路的所述PMOS(M10)的漏极。
9.根据权利要求8所述的控制电路,其特征在于,所述电平转换电路还包括N沟道金属氧化物半导体场效应管NMOS(M11),配置为在栅极接收输入信号的第二信号,在电源电压正常或掉电时,控制自身状态为导通,限制电阻(R3)的电流;
所述NMOS(M11)设置在PMOS(M10)与电阻(R3)之间,所述NMOS(M11)的衬底连接去使能信号提供节点,漏极连接PMOS(M10)的源极,源极连接电阻(R3),栅极连接输入信号的第二信号。
10.根据权利要求9所述的控制电路,其特征在于,所述电平转换电路还包括NMOS(M12),配置为在电源电压VCC正常,输入信号为低电平时,快速拉低使能信号输出节点的电平;
所述NMOS(M12)的衬底连接去使能信号提供节点,栅、漏极连接所述NMOS(M11)的源极及所述电阻(R3),源极连接电源地。
11.根据权利要求9所述的控制电路,其特征在于,所述缓冲器,还配置为获得输入信号的第二信号,将第二信号接入所述电平转换电路的所述NMOS(M11)的栅极。
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