[发明专利]加热冷却试验方法及加热冷却试验装置

权利要求书

1.一种加热冷却试验方法，该加热冷却试验方法用于对安装有电子元器件的电路基板进行评价，包括使所述电子元器件升温的升温步骤、使所述电子元器件冷却的冷却步骤、及交替重复所述升温步骤和所述冷却步骤的重复步骤，其特征在于，

所述升温步骤中，通过对装载在所述电子元器件上的激光吸收体照射激光束以进行加热，从而使所述电子元器件升温。

2.如权利要求1所述的加热冷却试验方法，其特征在于，

在所述电路基板上安装有多个所述电子元器件，

所述冷却步骤中，利用冷却装置从所述电路基板的未安装有所述电子元器件的一侧的表面对所述电子元器件进行冷却。

3.如权利要求1所述的加热冷却试验方法，其特征在于，

所述激光吸收体的下表面比所述电子元器件的上表面的外形要大。

4.如权利要求1至3的任一项所述的加热冷却试验方法，其特征在于，

所述激光吸收体的下表面介由热传导糊料与所述电子元器件的上表面相接触，

所述激光吸收体是与所述下表面平行的面方向的热传导率大于与所述下表面垂直的面方向的热传导率的各向异性热传导体。

5.如权利要求1所述的加热冷却试验方法，其特征在于，

所述升温步骤中，基于所述电子元器件的表面温度的测定值，至少对所述电子元器件的最高温度及所述最高温度的保持时间进行控制，

所述冷却步骤中，基于所述测定值，至少对所述电子元器件的最低温度及所述最低温度的保持时间进行控制。

6.如权利要求1所述的加热冷却试验方法，其特征在于，

所述升温步骤中，将所述激光束照射于所述激光吸收体时，对所述激光吸收体的上表面的、位于所述电子元器件的发热源的正上方的部分照射所述激光束。

7.如权利要求2所述的加热冷却试验方法，其特征在于，

所述升温步骤中，对于安装在所述电路基板上的多个所述电子元器件，利用电流镜来控制所述激光束的照射位置，对装载在任意的所述电子元器件上的所述激光吸收体进行照射。

8.如权利要求7所述的加热冷却试验方法，其特征在于，

所述升温步骤中，利用所述电流镜，使所述激光束对所述激光吸收体的整个上表面进行平面扫描，将所述激光束照射到所述激光吸收体。

9.如权利要求1所述的加热冷却试验方法，其特征在于，

所述冷却装置是固体冷却体，

所述冷却步骤中，通过使设置于所述固体冷却体的局部冷却板与所述电路基板的未安装有所述电子元器件的一侧的所述表面的分别对应于所述电子元器件的位置相接触，从而进行冷却。

10.如权利要求1所述的加热冷却试验方法，其特征在于，

将所述电路基板及所述冷却装置设置在密闭的槽中，所述槽的至少一部分由相对于所述激光束具有透射性的材料构成，

所述升温步骤中，使所述激光束从所述槽的外部经由由所述具有透射性的材料构成的部分，来照射到装载在所述电子元器件上的所述激光吸收体。

11.如权利要求10所述的加热冷却试验方法，其特征在于，

能将所述槽内的气氛变更为低湿度气氛、真空气氛、及惰性气氛中的任一种。

12.一种加热冷却试验装置，该加热冷却试验装置对安装有电子元器件的电路基板进行评价，其特征在于，包括：

振荡出激光束的激光振荡器；

对所述激光束进行整形的射束整形光学系统；

对所述电子元器件进行冷却的冷却装置；

测定所述电子元器件的温度的温度测定器；

装载于所述电子元器件的上表面的激光吸收体；及

控制装置，该控制装置使升温步骤和冷却步骤重复进行，该升温步骤中，对装载于所述电子元器件的上表面的所述激光吸收体的上表面照射所述激光束，以使所述电子元器件升温，该冷却步骤中，对所述电子元器件进行冷却。

13.如权利要求12所述的加热冷却试验装置，其特征在于，

所述控制装置对从所述激光振荡器振荡出的所述激光束的激光输出和照射时间进行控制，并对由所述射束整形光学系统进行整形的所述激光束的形状进行控制。

14.如权利要求12或13所述的加热冷却试验装置，其特征在于，

在所述电路基板上安装有多个所述电子元器件，

该加热冷却试验装置包括电流镜，该电流镜对于安装在所述电路基板上的多个所述电子元器件，能够控制所述激光束的照射位置，对装载在任意的所述电子元器件上的所述激光吸收体照射所述激光束。