[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本申请是申请日为2006年10月16日的、申请号为“200610137400.2”的、发明名称为“半导体装置及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及使用了发光元件的发光装置及其制造方法，其中发光元件可以通过将电场施加到在一对电极之间设置有包含有机化合物的膜(以下记为“有机化合物层”)的元件中来获得荧光或磷光。此外，发光装置是指图像显示器件、发光器件、或光源(包括照明装置)。

背景技术

使用有机化合物作为发光体的发光元件的特征是厚度薄、重量轻、响应快、直流低电压驱动等，已期望用于下一代平板显示器的应用中。尤其是，由于宽视角和优良的能见度，将发光元件配置为矩阵形状的显示装置被认为比常规的液晶显示装置更有优势。

发光元件的发光机理如下。也就是，当使一对电极之间夹有有机化合物层并施加电压时，由阴极注入的电子和由阳极注入的空穴在有机化合物层的发光中心相互复合形成分子激子。然后，当分子激子返回基态时，通过释放能量发生发光。在本领域中已知两种类型的激发态，单重态激发和三重态激发，并且可以在任何一种状态中发光。

可以将诸如无源矩阵驱动(单纯矩阵类型)和有源矩阵驱动(有源矩阵类型)之类的驱动方法用于如上所述的发光元件配置为矩阵形状而形成的发光装置。然而，当像素密度增加时，优选采用其中每个像素(或每个点)提供有开关的有源矩阵类型，是由于它可以在低电压下驱动。

在制造有源矩阵类型发光装置的情况下，在具有绝缘表面的衬底上形成作为开关元件的TFT，将与该TFT电连接的像素电极用作阳极或阴极的EL元件配置为矩阵形状。

另外，当制造有源矩阵类型发光装置或无源矩阵类型发光装置时，将用于对相互靠近的像素进行绝缘的隔离壁设置在像素电极的端部。

本申请人提供了如专利文件1或专利文件2所述的隔离壁。

专利文件1特开2002-164181

专利文件2特开2004-127933

在具备电致发光(以下也记为EL)元件的显示装置中，为了进行彩色显示，而使用发彩色光的彩色发光元件。为了形成彩色发光元件，在电极上将各种颜色的发光材料形成为微细的图形是一个重要因素。

为了达到上述目的，一般采用的方法是在使用蒸发沉积法等形成材料时，通过使用掩模形成为微细图形。

但是，由于随着高细致化而带来的像素区域的微细化、随着大面积化而带来的衬底的大型化，由于蒸发沉积时所使用的掩模的精度和挠曲等的原因而产生不良，成为一个问题。

本发明提供防止由于蒸发沉积时所使用的掩模的精度和挠曲等的原因而产生不良的结构，而不增加工序。

另外，在使用红、绿、蓝的发光颜色的全色平板显示器中，对高精细化、高开孔率化、或高可靠性的要求越来越高。在随着发光元件的高精细化(像素数的增加)及小型化而带来的每个显示像素间距的微细化中，这种要求是很大的问题。为了使有源矩阵类型发光装置或无源矩阵类型发光装置高精细化，还需要缩小隔离壁的上面形状以实现高精细化。本发明提供缩小了上面形状并可以实现更高精细化了的显示的隔离壁、以及具备该隔离壁的发光装置。

在本发明中，通过使用设置有由衍射光栅图形或半透膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模(Reticle)，在显示区域的像素电极(也被称为第一电极)上、以及像素电极层周边，形成具有膜厚不同的部分的隔离壁，而不增加工序。

本发明的隔离壁，以膜厚为厚的部分支撑蒸发沉积掩模，来防止由于蒸发沉积掩模的弯曲或挠曲等的原因而使蒸发沉积掩模接触像素电极表面。因此，在像素电极表面没有由掩模等导致的破损如伤痕等，不引起像素电极的形状不良，因此可以进行高细致的显示，并且可以制造高可靠性的显示装置。如果可以不使蒸发沉积掩模接触像素电极表面，则也可以选择性地形成膜厚为厚的部分的区域。换言之，只要在配置有多个像素的区域内形成一个膜厚为厚的部分，即可。

另外，当在像素电极上形成包含有机化合物的层时，在本发明的隔离壁中的膜厚为薄的部分可以抑制在像素电极和隔离壁之间引起覆盖不良。因此，本发明的隔离壁尤其是对形成膜厚非常薄的包含有机化合物的层的情况很有效。在隔离壁中的膜厚为薄的部分具有膜厚为厚的部分的至少一半或更小的厚度。