[发明专利]环氧树脂组合物及半导体器件有效
申请号: | 201210063222.9 | 申请日: | 2005-11-25 |
公开(公告)号: | CN102617981A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 小谷贵浩;关秀俊;前田将克;滋野数也;西谷佳典 | 申请(专利权)人: | 住友电木株式会社 |
主分类号: | C08L63/00 | 分类号: | C08L63/00;C08L15/00;C08G59/62;H01L23/29 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 吴小瑛;菅兴成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 环氧树脂 组合 半导体器件 | ||
1.用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物,其包括:
(A)晶体环氧树脂,
(B)由通式(1)表示的酚醛树脂:
其中,R1和R2独立为氢或具有1至4个碳原子的烷基,两个或更多个R1或两个或更多个R2可相同或不同;a是0-4的整数;b是0-4的整数;c是0-3的整数;n是平均值,且为0-10的数值,
(C-1)环氧化聚丁二烯化合物,和
(D)无机填料,其在整个环氧树脂组合物中的含量为80wt%-95wt%,包括两个端点值。
2.如权利要求1中所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物,其中所述酚醛树脂(B)由通式(2)表示:
其中,R1和R2独立为氢或具有1至4个碳原子的烷基,两个或更多个R1或两个或更多个R2可相同或不同;a是0-4的整数;b是0-4的整数;c是0-3的整数;n是平均值,且为0-10的数值;且
所述无机填料(D)在整个环氧树脂组合物中的含量为85wt%-95wt%,包括两个端点值。
3.如权利要求2所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物,其中所述环氧化聚丁二烯化合物(C-1)的数均分子量为500-4000,包含两个端点值。
4.如权利要求2所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物,其进一步包括固化促进剂(E)。
5.半导体器件,其中半导体芯片是采用权利要求2-4中任意之一所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物封装的。
6.用于封装半导体芯片的面安装型环氧树脂组合物,该组合物为权利要求2-4中任意之一所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物,其用于封装表面安装型半导体器件,
其中半导体芯片安装在衬底的一面,且基本上仅在衬底安装了半导体芯片的一面被封装。
7.表面安装型半导体器件,其中半导体芯片是由权利要求6所述的用于封装半导体芯片的表面安装型环氧树脂组合物封装的。
8.如权利要求1所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物,其中所述晶体环氧树脂(A)由通式(4)表示:
其中,X是选自单键、-O-、-S-和-C(R2)2-的基团R1是具有1至6个碳原子的烷基;两个或更多个R1可相同或不同;m是0-4的整数;R2是氢或具有1至4个碳原子的烷基;两个或更多个R2可相同或不同,
所述酚醛树脂(B)由通式(5)表示:
其中,R1和R2独立为氢或具有1至4个碳原子的烷基;两个或更多个R1或两个或更多个R2可相同或不同;a是0-3的整数;b是0-4的整数;n是平均值,且为1-5的正数,
所述无机填料(D)在整个环氧树脂组合物中的含量为80wt%-94wt%,包括两个端点值;以及
进一步包括由通式(6)表示的环氧树脂(F):
其中,R1和R2独立为氢或具有1至4个碳原子的烷基;两个或更多个R1或两个或更多个R2可相同或不同;a是0-3的整数;b是0-4的整数;n是平均值,且为1-5的正数;且
其中所述环氧树脂(F)与所述由通式(4)表示的晶体环氧树脂(A)
的重量比[(F)/(A)]为10/90至90/10,包括两个端点值。
9.如权利要求8所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物,其中所述环氧化聚丁二烯化合物(C-1)的数均分子量为500-4000,包括两个端点值。
10.如权利要求8所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物,其进一步包括固化促进剂(E)。
11.半导体器件,其中半导体芯片是由权利要求8-10中任意之一所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物封装的。
12.用于封装半导体芯片的面安装型环氧树脂组合物,该组合物为权利要求8-10中任意之一所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物,其用于封装表面安装型半导体器件,
其中半导体芯片安装在衬底的一面,且基本上仅在衬底安装了半导体芯片的一面被封装。
13.表面安装型半导体器件,其中半导体芯片是由权利要求12所述的用于封装半导体芯片的表面安装型环氧树脂组合物封装的。
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