[发明专利]一种温度感知集成电路

权利要求书

1.一种温度感知集成电路，其特征在于，包括基准电压源模块、PTAT延迟模块、CTAT延迟模块、加法器和波纹计数器，

所述基准电压源模块用于产生一个正温度系数的电压输入到所述的PTAT延迟模块，以及一个负温度系数的电压输入到所述的CTAT延迟模块；

所述PTAT延迟模块用于产生脉冲宽度随温度变化的PTAT脉冲输入到所述的加法器的一个输入端；

所述CTAT延迟模块用于产生脉冲宽度随温度变化的CTAT脉冲输入到所述的加法器的另一个输入端；

所述加法器的输出端与波纹计数器的输入端相连，所述波纹计数器的输出端即为所述温度感知集成电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的温度感知集成电路，其特征在于，所述的PTAT延迟模块和CTAT延迟模块具体包括：第一运算放大器、MOS管M7、M8、M9、M10、M11和M12，第一反相器、第二反相器，第一电阻和第一电容，具体连接关系如下：

所述第一运算放大器的第一输入端作为所述PTAT延迟模块或CTAT延迟模块的输入端，所述第一运算放大器的第二输入端与第一电阻的一端相连，第一电阻的另一端接地；MOS管M7的栅极接第一运算放大器的输出端，漏极接外部的第一电源，源极接第一运算放大器的第二输入端；M8的栅极接第一运算放大器的输出端，漏极接外部的第一电源，源极接M9的漏极；M9的栅极接M10的栅极，漏极接地；M10的栅极与M12的栅极相连并接外部的控制信号，漏极接外部的第一电源，源极接M10的漏极；M10的源极接地；第一电容的一端接M10的漏极，另一端接地；M12的漏极接第一反相器的输入端，源极接地；第一反相器的输出端接第二反相器的输入端，第二反相器的输出端即为所述PTAT延迟模块或CTAT延迟模块的输出端。

3.根据权利要求1所述的温度感知集成电路，其特征在于，所述的基准电压源模块包括MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6，具体连接关系如下：

M1的栅极和漏极接外部的第二电源，源极与M2的漏极相连接；M2的栅极与M2的漏极相连接，M2的源极接地；M3的漏极接外部的第二电源，栅极与M1的源极相连接，源极与M4的漏极相连接作为所述基准电压源模块的负温度系数的电压输出端；M4的栅极与漏极相连接，源极接地；M5的栅极与M1的源极相连接，漏极接外部的第二电源，源极与M6的漏极相连接作为所述基准电压源模块的正温度系数的电压输出端；M6的栅极与M5的栅极栅极相连接，M6的源极接地。

4.根据权利要求2或3所述的温度感知集成电路，其特征在于，所述的第一运算放大器的偏置电路具体包括MOS管M13、M14、M15、M16和M17，具体连接关系如下：

M13的漏极接外部的输入偏置电流，栅极接外部的控制电压，漏极与M14的漏极相连接；M14的栅极与M13的源极相连接，源极接地；M15的栅极与M14的栅极相连接，漏极与M16的源极相连接，M15的源极接地；M16的栅极与M15的漏极相连接，漏极接外部的第一电源；M17的栅极与M16的栅极相连接，漏极接接外部的第一电源，源极作为偏置电路的输出端。

5.根据权利要求4所述的温度感知集成电路，其特征在于，所述的第一运算放大器包括：MOS管M18、M19、M20和M21，具体连接关系为：M18的栅极作为所述运算放大器的第一输入端，源极与M19的源极相连并作为偏置电流端，与偏置电路的输出端相连接，漏极与M20漏极相连接；M19栅极作为所述运算放大器的第二输入端，漏极与M21漏极相连接；M20栅极与漏极相连接，源极接地；M21栅极与M20栅极相连接，漏极作为所述运算放大器的输出端，源极接地。