[发明专利]化学混浴沉积系统及其化学混浴沉积方法

权利要求书

1.一种化学混浴沉积系统，其特征在于，所述化学混浴沉积系统用以在具有一光电转换层的至少一背电极基板上形成一缓冲层及一氧化锌窗口层，所述化学混浴沉积系统包括：

一第一混浴槽，用来存放一缓冲层化学溶液，当所述背电极基板进入所述第一混浴槽以浸泡于所述缓冲层化学溶液中时，所述缓冲层化学溶液反应生成所述缓冲层在所述光电转换层上；及

一第二混浴槽，用来存放一窗口层化学溶液，当所述背电极基板进入所述第二混浴槽以浸泡于所述窗口层化学溶液中时，所述窗口层化学溶液反应生成所述氧化锌窗口层在所述缓冲层上，所述第一混浴槽与所述第二混浴槽为一连续式配置。

2.如权利要求1所述的化学混浴沉积系统，其特征在于，所述缓冲层由一阳离子及一阴离子所组成，所述阳离子选自由锌离子、镉离子、汞离子、铝离子、镓离子、铟离子所组成的群组的至少其中之一，所述阴离子选自由氧离子、硫离子、硒离子、氢氧根离子所组成的群组的至少其中之一。

3.如权利要求1所述的化学混浴沉积系统，其特征在于，所述窗口层溶液包括过氧化氢溶液、氨水及含锌离子溶液。

4.如权利要求1所述的化学混浴沉积系统，其特征在于，所述化学混浴沉积系统还包括：

一预清洗装置，用来在所述背电极基板进入所述第一混浴槽前，清洗所述背电极基板；

一中间清洗装置，用来在所述背电极基板进入所述第二混浴槽前，清洗所述背电极基板；及

一后清洗装置，用来在所述背电极基板离开所述第二混浴槽后，清洗所述背电极基板。

5.一种化学混浴沉积方法，其特征在于，所述化学混浴沉积方法用以在具有一光电转换层的至少一背电极基板上形成一缓冲层及一氧化锌窗口层，所述化学混浴沉积方法包括：

将所述背电极基板浸泡于一第一混浴槽的一缓冲层化学溶液中，以形成所述缓冲层在所述光电转换层上；

从所述第一混浴槽内取出所述背电极基板；及

将所述背电极基板浸泡于一第二混浴槽的一窗口层化学溶液中，以形成所述氧化锌窗口层在所述缓冲层上，所述第一混浴槽与所述第二混浴槽为一连续式配置。

6.如权利要求5所述的化学混浴沉积方法，其特征在于，所述化学混浴沉积方法还包括：

在将所述背电极基板浸泡于所述第一混浴槽的所述缓冲层化学溶液中前，清洗所述背电极基板。

7.如权利要求5所述的化学混浴沉积方法，其特征在于，所述化学混浴沉积方法还包括：

在将所述背电极基板浸泡于所述第二混浴槽的所述窗口层化学溶液中前，清洗所述背电极基板。

8.如权利要求5所述的化学混浴沉积方法，其特征在于，所述化学混浴沉积方法还包括：

从所述第二混浴槽内取出所述背电极基板；及

清洗所述背电极基板。