[发明专利]化学混浴沉积系统

权利要求书

1.一种化学混浴沉积系统，其特征在于，所述化学混浴沉积系统用以在具有一光电转换层的至少一背电极基板上形成一缓冲层，所述缓冲层形成在所述光电转换层上，所述化学混浴沉积系统包括：

一化学混浴槽，用来存放一缓冲层化学溶液，所述缓冲层化学溶液包括一阳离子及一阴离子，所述阳离子及所述阴离子用以当所述背电极基板进入所述化学混浴槽以浸泡在所述缓冲层化学溶液内时，反应生成所述缓冲层在所述光电转换层上；

一化学液纯化装置，连通于所述化学混浴槽，用来移除在所述阳离子及所述阴离子反应生成所述缓冲层后所剩余的阳离子以得到一纯化后的溶液；及

一添加装置，用来根据所述纯化后的溶液的一成分比例进行所述阳离子的补偿添加。

2.如权利要求1所述的化学混浴沉积系统，其特征在于，所述化学混浴沉积系统还包括：

一分析装置，用来分析所述纯化后的溶液以产生所述成分比例。

3.如权利要求2所述的化学混浴沉积系统，其特征在于，所述分析装置选自由一古典滴定分析装置、一自动滴定装置、一氧化还原滴定装置、一酸碱滴定装置、一管柱层析装置、一原子吸收光谱分析装置，及一紫外线-可见光光谱分析装置所组成的群组的至少其中之一。

4.如权利要求2所述的化学混浴沉积系统，其特征在于，所述分析装置用来以在线分析方式或离线取样分析方式进行所述纯化后的溶液的分析。

5.如权利要求1所述的化学混浴沉积系统，其特征在于，所述阳离子选自由锌离子、镉离子、汞离子、铝离子、镓离子、铟离子所组成的群组的至少其中之一。

6.如权利要求1所述的化学混浴沉积系统，其特征在于，所述阴离子选自由氧离子、硫离子、硒离子、氢氧根离子所组成的群组的至少其中之一。

7.如权利要求1所述的化学混浴沉积系统，其特征在于，所述化学液纯化装置为一加热处理装置、一酸碱处理装置，或一氧化还原处理装置的至少其中之一。

8.如权利要求1所述的化学混浴沉积系统，其特征在于，所述化学混浴沉积系统还包括：

一预清洗装置，用来在所述背电极基板进入所述化学混浴槽前，清洗所述背电极基板；

一后清洗装置，用来在所述背电极基板离开所述化学混浴槽后，清洗所述背电极基板；及

一清洗液纯化装置，连通于所述预清洗装置及所述后清洗装置，用来纯化所述预清洗装置及所述后清洗装置清洗所述背电极基板后所产生的清洗液，并将所述清洗液导回所述预清洗装置及所述后清洗装置。

9.如权利要求1所述的化学混浴沉积系统，其特征在于，所述清洗液纯化装置选自一离子交换树脂纯化装置、一逆渗透薄膜透析装置、一电解纯化装置，及一氧化还原处理装置所组成的群组的至少其中之一。

10.如权利要求1所述的化学混浴沉积系统，其特征在于，所述纯化后的溶液直接导入所述化学混浴槽内以进行所述阳离子的补偿添加。