[发明专利]10560纳米带通红外滤光片及其制作方法有效
申请号: | 201210063888.4 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN102590918A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 吕晶 | 申请(专利权)人: | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/28 | 分类号: | G02B5/28;G02B1/10;B32B9/04;B32B15/00;C23C14/54;C23C14/06;C23C14/14 |
代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
地址: | 310000 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 10560 纳米 通红 滤光 及其 制作方法 | ||
1.一种10560纳米带通红外滤光片,其特征是:
(1)采用尺寸为Φ25.4×0.5mm的单晶锗Ge作基板;其表面光圈N≤5,局部光圈ΔN≤0.5,平行度θ≤1’;表面光洁度优于60/40;
(2)镀膜材料选择硫化锌ZnS和单晶锗Ge,在基板两个表面上分别沉积多层干涉薄膜,所述多层干涉薄膜符合下述第3结构特征:
(3)主膜系面薄膜结构采用Sub|HLHLH2LHLHLHLHLH2LHLHL|Air;干涉截止膜系面薄膜采用以下结构:
Sub|0.76(0.5HL0.5H)5 0.5(0.5HL0.5H)5 0.35(0.5HL 0.5H)5 0.25(0.5HL 0.5H)6 0.16(0.5HL 0.5H)6|Air
膜系中符号含义分别为:Sub为基板、Air为空气、H为λc/4单晶锗膜层、L为λc/4硫化锌膜层、λc=10560纳米、结构式中数字为膜层的厚度系数、结构式中的指数是膜堆镀膜的周期数。
2.一种如权利要求1所述的10560纳米带通红外滤光片的制作方法,其特征是以锗Ge为基板,硫化锌ZnS和锗Ge为镀膜材料,采用真空热蒸发薄膜沉积的方法制备镀膜层,镀膜工艺条件是在真空度≤10-3Pa的真空环境下进行300℃以下的加热烘烤,采用物理气相沉积方式加以离子源辅助镀膜,其中:单晶锗材料采用电子枪蒸发,硫化锌材料采用阻蒸热蒸发,蒸发速率均控制在1纳米/S以内。
3.根据权利要求2所述的10560纳米带通红外滤光片的制作方法,其特征是对主膜系面采用高级次透射带的透过直接光控进行镀膜控制,采用反射式间接光控对另一面的干涉截止膜系进行镀膜控制。
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