[发明专利]光刻装置和补偿中间掩模版引入的CDU的器件制造方法

权利要求书

1.一种光刻装置，包括：

照明系统，其调节辐射束；

构图部件，其调制辐射束；

投影系统，其把调制辐射束投射到基底的靶部；和

辐射束检查装置，其检查至少一部分调制辐射束；

其中，处于基底曝光结构时，光刻装置利用调制辐射束在基底上曝光辐射图案，和

其中，处于辐射束检查结构时，辐射束检查装置检查光刻装置处于基底曝光结构时将被曝光到基底上的辐射图案；

其中光刻装置还包括：

光学元件，其控制投影系统投射的调制辐射束，其中当光学元件设置为第一设置时，调制辐射束投射到被支撑在基底台上的基底上，并当光学元件设置为第二设置时，调制辐射束投射到辐射束检查装置上。

2.根据权利要求1所述的光刻装置，其中，

所述光学元件为平面反射器，所述平面反射器配置成在第一设置和所述第二设置之间旋转。

3.如权利要求1所述的光刻装置，还包括：

所需图案数据存储器，其储存对应于至少一部分将要曝光在基底上的所需图案的数据；和

校正控制器，其确定辐射束检查装置检测到的图案与所需图案之间的差异，并确定至少一个使该差异最小化所必须的光刻装置操作的修正。

4.如权利要求3所述的光刻装置，其中：

光刻装置的操作按照校正控制器确定的修正而修正，同时光刻装置处于辐射束检查结构；和

校正控制器确定辐射束检查装置检测到的图案与所需图案之间的任何其它差异，并确定任何使该差异最小化所必须的光刻装置操作的进一步修正。

5.如权利要求4所述的光刻装置，其中：

构图部件为单独可控元件阵列；和

所述光刻装置的操作的至少一项修正包括对单独可控元件阵列设置的图案的至少一项改变。

6.如权利要求5所述的光刻装置，其中所述对单独可控元件阵列设置的图案的至少一项改变包括图案特征的增加、图案特征的去除和重新确定图案特征尺寸中的至少一项。

7.如权利要求5所述的光刻装置，其中：

所述单独可控元件阵列构造成将调制制辐射束部分的强度设置为至少三个不同的水平；和

所述对单独可控元件阵列设置的图案的至少一项改变包括调节至少一部分辐射图案中的调制辐射束的强度。

8.如权利要求5所述的光刻装置，还包括校正图案数据存储器，其储存对应于将要曝光到基底上的所需图案的图案数据，该图案数据根据由校正控制器确定的单独可控元件阵列设置的图案的至少一项改变而修正，而单独可控元件阵列是按照所述校正图案数据存储器中的图案数据设置的。

9.如权利要求5所述的光刻装置，还包括：

图案校正数据存储器，其储存对应于由校正控制器确定的单独可控元件阵列设置的图案的至少一项改变的数据；和

单独可控元件阵列按照储存在所需图案数据存储器中的由储存于图案校正数据存储器中的数据校正的所需图案数据设置。

10.如权利要求3所述的光刻装置，其中所述光刻装置操作的至少一项修正包括照明系统提供的辐射束强度的改变，照明系统提供的辐射束调节的改变，以及投影系统的一项或多项设置的改变中的至少一种。

11.如权利要求10所述的光刻装置，还包括：

系统设置数据存储器，其储存对应于所述照明系统提供的辐射束强度、照明系统提供的辐射束的调节以及投影系统的一项或多项设置中的至少一种改变；和

当光刻装置处于基底曝光结构时，由使用储存在系统设置数据存储器中的数据的系统控制器控制光刻装置。

12.如权利要求3所述的光刻装置，其中曝光到基底上的所需图案是对应于需要形成到基底上的图案特征的图案，该所需图案根据曝光到基底上的辐射图案和形成在基底上的图案特征之间的基底处理条件的变化所产生的差异特征来修正。

13.如权利要求3所述的光刻装置，其中所述的所需图案数据存储器储存对应于至少一部分需要形成在基底上的特征图案以及由曝光在基底上的辐射图案与形成在基底上的图案特征之间的基底的处理条件变化所产生的差异特征的数据；和

校正控制器由储存在所述所需图案数据存储器中的数据来确定需要曝光到基底上的图案。

14.一种利用光刻装置在基底上形成器件的光刻装置操作的优化方法，该方法包括：

利用构图部件调制辐射束；

把调制辐射束投射到辐射束检查装置上，该装置检查至少一部分调制辐射束，以确定调制射束投影到基底时将要曝光到基底上的对应图案；和

确定光刻装置的操作的至少一项修正，使曝光到基底上的所需图案与辐射束检查装置确定的图案之间的差异最小；

其中，所述光刻装置包括光学元件，利用所述光学元件控制投影系统投射的调制辐射束，其中当光学元件设置为第一设置时，调制辐射束投射到被支撑在基底台上的基底上，并当光学元件设置为第二设置时，调制辐射束投射到辐射束检查装置上。