[发明专利]适用于清洗硅晶片的洗剂及用于清洗一硅晶片的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种洗剂，特别是涉及一种适用于清洗硅晶片的洗剂及用于清洗一硅晶片的方法。

背景技术

太阳能硅晶片线锯切割技术是目前用于将太阳能单晶硅或多晶硅切割为硅晶片的方法。线锯切割技术主要可分为游离磨粒方式及固定磨粒方式，其中，固定磨粒方式的切割工具是将金刚石或钻石磨粒固定于钢丝上所制成，而游离磨粒方式的切割工具为线锯及含有碳化硅等磨粒的切削液。太阳能硅晶棒在通过上述线锯切割技术进行切割加工后，特别是通过游离磨粒方式进行切割后，所获得的硅晶片的表面会残留大量的微粒、金属离子、有机物及其他不纯物等污染物，使得切割后的硅晶片表面必须经过较精细的清洗工艺，以避免影响后续太阳能电池的转换效率、使用期限与可靠度等。

切割后的硅晶片表面的脏污大致可分为三类：(1)有机杂质、(2)微粒及(3)金属离子。此外，切割后的硅晶片表面除了表面脏污之外，也可能存有表面线痕与损伤痕。因此，除了清洗表面脏污之外，如何消除表面线痕与损伤痕，也是清洗工艺中需解决的问题。然而在整个清洗工艺中，又以清洗剂的选用为首要课题。

中国台湾专利TW408178揭示了一种具备有机污物去除力的碱性清洁剂组合物。该碱性清洁剂组合物包含一碱金属碳酸盐、一表面活性剂及一多价螯合剂。该多价螯合剂包含有机膦酸酯(phosphonate)及无机缩合磷酸盐[如三聚磷酸钠(pentasodium triphosphate，Na₅P₃O₁₀)、焦磷酸盐(pyrophosphate salt，M₄P₂O₇，M为金属离子)、六偏磷酸盐[hexametaphosphate salt，(MPO₃)₆，M为金属离子]。该碱性清洁剂组合物是通过多价螯合剂与二价或三价金属离子进行螯合作用，除了能避免该些金属离子与有机污物进行结合而形成难以去除的污物，还可进一步通过碱性金属碳酸盐而能有效地将有机污物移除，达到去污的功效。然而，该碱性清洁剂组合物主要在去除有机污物，虽具有去污功效，但在长时间使用下，并无法持续维持去污能力。且该碱性清洁剂组合物无法有效地消除经切割后的硅晶片表面线痕与损伤痕。

由上述可知，目前仍需要发展一种适用于清洗切割后的硅晶片表面、具备有高度清洗能力、长效清洗能力且能消除经切割后的硅晶片表面线痕与损伤痕的清洗剂，以符合业界的需求。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的用于清洗硅晶片的洗剂存在的缺陷，而提供一种新型的适用于清洗硅晶片的洗剂，所要解决的技术问题是使其适用于清洗硅晶片且具有消除经切割后的硅晶片表面线痕与损伤痕、高度清洗能力及长效清洗能力，非常适于实用。

本发明的另一目的在于，提供一种新型的用于清洗一硅晶片的方法，所要解决的技术问题是使其通过上述适用于清洗硅晶片的洗剂来清洗硅晶片，从而消除经切割后的硅晶片表面线痕与损伤痕、并具有高度清洗能力及长效清洗能力，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种适用于清洗硅晶片的洗剂，包含碱金属氢氧化物、磷酸三钠(trisodium phosphate，Na₃PO₄·12H₂O)、阴离子型界面活性剂及水。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其中以该磷酸三钠的总量为100重量份计，该碱金属氢氧化物的含量范围为100重量份～1000重量份及该阴离子型界面活性剂的含量范围为10重量份～1000重量份。

较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其中该洗剂的pH值范围为8～14。

较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其中以该磷酸三钠的总量为100重量份计，该水的含量范围为2900重量份～19700重量份。

较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其中该碱金属氢氧化物是选自于氢氧化钠、氢氧化钾或它们的一组合。

较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，包含碱金属碳酸盐和/或碱金属碳酸氢盐。

较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其中该碱金属碳酸盐和/或碱金属碳酸氢盐是选自于碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠，或它们的一组合。