[发明专利]一种多值存储的阻变存储器件的制备方法

权利要求书

1.一种多值存储的阻变存储器件的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)以Nb:SrTiO₃为衬底，并超声清洗干净，自然晾干；

(2)将清洗干净的Nb:SrTiO₃衬底置于一定真空度的磁控溅射真空腔内并在一定的温度下退火一定的时间后自然降温；所述的真空度为8×10^-4pa，退火温度为700℃，退火时间为30min；

(3)用掩模板遮掩Nb:SrTiO₃衬底中间部位三分之一大小的面积的Nb:SrTiO₃，用磁控溅射的方法在暴露的Nb:SrTiO₃上溅射厚度为150-200nm的金属钛薄膜；上述磁控溅射法溅射的参数分别为溅射功率250W，溅射气压1.2pa，溅射时间1.5h；

(4)将步骤(3)中制备所得产品去除掩模板，然后在原来被掩盖的部分涂覆金属银胶Nb:SrTiO₃；

(5)将步骤(4)中得到的产品用金属铜线将金属银与钛连接起来；即可制得阻变存储器件。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的步骤(1)中将Nb:SrTiO₃为衬底进行清洗过程为：依次用去离子水、丙酮、去离子水、乙醇、去离子水进行超声清洗，超声清洗的时间分别为5min、10min、5min、10min、5min。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的步骤(1)中Nb:SrTiO₃为掺杂0.7％Nb的SrTiO₃单晶衬底。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的步骤(3)磁控溅射金属钛Ti薄膜的厚度约为180nm。