[发明专利]一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件有效
| 申请号： | 201210065381.2 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102593348A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 赵永刚;张森;杨军杰;李培森;曲天良 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性 电场 调控 磁化 强度 信息 存储 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件，其特征在于该信息存储器件由第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层组成；所述的第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层由上而下依次重叠，其中所述的第一金层的厚度为200-300纳米，所述的钽层的厚度为5-10纳米，所述的铁磁层的厚度为10-20纳米，所述的铁电层的厚度为0.2-0.5毫米，所述的第二金层的厚度为300-500纳米。
2.如权利要求1所述的信息存储器件，其特征在于所述的铁电层具有三方对称性，在正负电场的作用下发生109度电畴翻转。
3.如权利要求1所述的信息存储器件，其特征在于所述的铁磁层为无磁晶各向异性的非晶或多晶结构，并对109电畴翻转有响应。
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