[发明专利]一种CdS/Sn异质结构纳米发光材料的制备方法有效
| 申请号： | 201210065412.4 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102618269A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王顺利;李培刚;唐为华 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66 |
| 代理公司： | 浙江英普律师事务所 33238 | 代理人： | 陈小良 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cds sn 结构 纳米 发光 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种CdS/Sn异质结构纳米发光材料的制备方法，其特征在于包括下述步骤：
(1)以CdS粉末和Sn粉为原料，混合碾磨15分钟以上，使之混合均匀；将混合物置入石英舟中，取镀金的Si片沿着气流方向放置于石英舟的下方；整个反应装置密封，其中CdS粉末与Sn粉的摩尔比为4∶1；
(2)将反应装置先抽真空，然后通入氩气至一个大气压；
对反应装置进行循环操作抽真空至200mmHg以下、通入氩气2次以上；再稳定通氩气流经反应装置；
(3)将反应装置加热至890～910℃，并保持反应时间30～40分钟；
(4)然后再将反应装置自然冷却至室温，在Si片上所得的沉积产物为CdS/Sn异质结构纳米发光材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(1)中CdS粉末和Sn粉的混合原料在玛瑙研钵中碾磨。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(1)中石英舟放置区域为反应装置的加热区；Si片放置区域为沉积区，并且Si片与石英舟之间的距离为25cm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(2)中氩气流量为350sccm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(3)中反应温度为900℃。
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