[发明专利]半导体器件生产用耐热性压敏粘合带以及使用其生产半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件生产用耐热性压敏粘合带，其在不使用金属引线框的无基板半导体封装体的生产方法中用于临时固定芯片；以及使用所述带生产半导体器件的方法。 

背景技术

近年来，在LSI的安装技术中CSP(芯片尺寸封装，Chip Size/Scale Package)技术备受关注。该技术中，就尺寸减少和高集成而言，由WLP(晶片级封装，Wafer Level Package)表示的以不使用基板而仅使用芯片的形式的封装为特别受关注的封装形式之一。根据WLP的生产方法，将不使用基板的以有序方式排列的多个半导体Si晶片芯片整体用包封树脂包封，然后通过切断分成单独的结构体，从而可有效生产与使用基板的常规封装体相比更小尺寸的封装体。 

此类WLP的生产方法需要将常规地固定在基板上的芯片固定在分开的(separate)支承体上。此外，在通过树脂包封成型为单独的封装体后必须解除固定。因而该支承体不应永久粘合而是必须可再剥离的。从该观点来看，存在使用压敏粘合带作为临时固定芯片用支承体的技术。 

专利文献1：JP-A-2001-308116 

专利文献2：JP-A-2001-313350 

发明内容

以下参考示出无基板半导体器件的生产方法的图2A至2F 描述通过本发明要解决的问题。 

将多个芯片1粘合至在其两侧上均具有压敏粘合剂层的半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2，将该半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2固定至基板3以形成如图2A所示的结构。可选地，将半导体器件生产用压敏粘合带2粘合至基板3，然后将芯片1固定于所述带2以形成图2A所示的结构。 

用包封树脂4从具有图2A所示结构的芯片1上面包封所述芯片1以便集成多个芯片1从而形成图2B所示的结构。 

然后，如图2C所示，通过以下方法获得用包封树脂4包封的多个芯片1：从半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2与基板3的集成产物分离用包封树脂4包封的多个芯片1的方法，或者从基板剥离包括用包封树脂4包封的多个芯片1和半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2的组件，然后从所述包封的芯片仅剥离半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2的方法。 

电极5形成于在用包封树脂4包封的多个芯片1的一侧的芯片1表面上的必要区域上，在所述侧上设置有半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2并且芯片1的表面露出，从而形成图2D所示的结构。 

然后，为了切割步骤，将可选地在包封树脂侧具有切割环7的切割带8粘合至所述结构以固定用包封树脂4包封的多个芯片1。如图2E所示，用切割刀6对所得组件进行切割，从而最终获得如图2F所示的各自具有用树脂包封的多个芯片的多个无基板封装体。 

在此类方法中，存在以下情况：由于包封树脂的压力导致芯片不受带支持并且从指定位置偏移，或者因为包封树脂的压力过强、或半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2过软的原因、或因为那些组合原因，芯片1可嵌入半导体器件生产用耐热性压 敏粘合带2，如图3B所示。在此类情况中，令人担忧的是芯片1不能完全用包封树脂4包封，并且芯片从树脂表面突出以形成包封树脂面和芯片面之间产生位置(level)差异的状态(偏离(standoff))。 

在芯片的一部分从树脂面突出的状态下，在随后所形成的电极的面的高度上发生偏移。因此，在将芯片连接到电路基板时，变得难以确定地将芯片连接到电路基板。 

在芯片1不嵌入半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2的情况中，如图3A所示，芯片不从固化的包封树脂面突出，并且芯片之间电极的随后形成也确定地进行。此外，甚至在电路基板上设置封装体的情况下，各电极也可确定地连接到电路基板上的预定区域。 

此外，用树脂包封期间，由于基材层和半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2的压敏粘合剂层的膨胀和弹性，示于图4(a)的半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2沿如图4(b)所示的平面方向变形，从而设置于半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2上的芯片1的位置在某些情况下会移动。此外，芯片有时可由于在封装用于包封的树脂时所引起的压力而移动。 

结果，在芯片1上设置电极时，芯片和电极之间的相对位置关系与预定的位置关系不同。此外，在用树脂包封芯片1并随后切割时，切割步骤中基于芯片1的预定位置而提前确定的切割线与通过芯片1的实际位置变得必要的切割线不同。 

在此情况下，通过切割所获得的各封装体在包封芯片的位置产生偏移，随后的步骤不能平稳地进行。此外，可不期望地获得未充分包封的封装体。