[发明专利]一种制备高强高导弥散强化铜的方法有效
申请号: | 201210065949.0 | 申请日: | 2012-03-13 |
公开(公告)号: | CN102560172A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 郝俊杰;郭志猛;陈存广;郭雷辰;杨薇薇 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C22C1/05 | 分类号: | C22C1/05;C22C9/00 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 高强 弥散 强化 方法 | ||
1.一种制备高强高导弥散强化铜的方法,其特征在于:包括以下工艺步骤:
1)Cu(OH)2/X(OH)n复合粉末的制备:以酸性氯化铜蚀刻废液或者碱性氯化铜蚀刻废液或者二者混合液为原料,添加弥散相对应的可溶性盐类,通过化学中和沉淀工艺,获得Cu(OH)2/X(OH)n复合粉末;
2)煅烧:将所述Cu(OH)2/X(OH)n复合粉末置于煅烧炉中,煅烧温度为300 ~ 500 ℃,煅烧时间为1 ~ 2 h,获得复合氧化物粉末;
3)选择性还原:将所述复合氧化物粉末在氢气保护气氛中进行还原,还原温度为400 ~ 900 ℃,还原时间为1 ~ 2 h,获得弥散相粒子极其细小、分布均匀的纳米氧化物弥散强化铜粉末;
4)致密化:将所述纳米氧化物弥散强化铜粉末采用冷压烧结工艺或热挤压工艺固结成型,获得纳米氧化物弥散强化铜材料。
2.根据权利要求1所述的制备高强高导弥散强化铜的方法,其特征在于:所述冷压烧结工艺为:
1)压制:采用模压或冷等静压,模压压制压力为500 ~ 900 MPa,保压时间为5 ~ 30 s;冷等静压压力为150 ~ 300 MPa,保压时间为30 ~ 90 min;
2)烧结:采用真空或无氧气氛烧结,真空度为10-1 ~ 10-2 Pa,无氧气氛为氢气(H2)或氩气(Ar)或二者的混合气,烧结温度为800 ~ 1000 ℃,保温时间为1 ~ 4 h。
3.根据权利要求1所述的制备高强高导弥散强化铜的方法,其特征在于:所述热挤压工艺为:将弥散强化铜粉末装入特制包套中,在真空度为10-1 ~ 10-2 Pa环境中抽真空1 ~ 2 h后,升温至600 ~ 900 ℃进行热挤压,使弥散强化铜粉末固结成型。
4.根据权利要求1所述的制备高强高导弥散强化铜的方法,其特征在于:弥散相为Al2O3、Y2O3、MgO、ZrO2、ThO2中的一种或两种或多种,其在氧化物弥散强化铜中所占质量分数为0.1% ~ 2.0%。
5.根据权利要求1所述的制备高强高导弥散强化铜的方法,其特征在于:弥散相对应的可溶性盐类为氯化物、硝酸盐、硫酸盐中的一种或两种或多种。
6.根据权利要求1所述的制备高强高导弥散强化铜的方法,其特征在于:所述Cu(OH)2/X(OH)n复合粉末中X为弥散相对应的金属元素。
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