[发明专利]一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法

权利要求书

1.一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法，包括如下步骤：

步骤1：将聚二甲基硅氧烷聚合物本体与聚合物引发剂按照一定的质量比，混合均匀形成聚二甲基硅氧烷预聚体；

步骤2：通过压印或铸造的方法，控制温度和时间，将模板表面的纳米森林结构图形转移至聚二甲基硅氧烷表面，形成具有密集纳米阵列结构表面的聚二甲基硅氧烷薄膜；

步骤3：控制深反应离子刻蚀设备的工艺参数，利用不同气体组合，对具有纳米阵列结构表面的聚二甲基硅氧烷薄膜进行物理和化学处理。

2.根据权利要求1所述的一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法，其特征在于：步骤1中所述聚二甲基硅氧烷聚合物本体，其成分为二甲基-甲基乙烯基硅氧烷；步骤1中所述聚二甲基硅氧烷聚合物引发剂，其成分为二甲基-甲基氢硅氧烷。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法，其特征在于：步骤1中所述聚二甲基硅氧烷聚合物本体与聚合物引发剂混合质量比为5∶1～20∶1。

4.根据权利要求1或2所述的一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法，其特征在于：步骤2中所述模板表面的纳米森林结构为柱状或椎体状或筛孔状，结构单体深宽比为1∶1～20∶1，高度为10nm～10μm，密度为10～200个/μm²。

5.根据权利要求1或2所述的一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法，其特征在于：步骤2中所述温度为50～100℃，时间为15分钟～2小时。

6.根据权利要求1或2所述的一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法，其特征在于：步骤2中所述密集纳米阵列结构为柱状或椎体状或筛孔状，结构单体深宽比为1∶1～10∶1，高度为10nm～1μm，密度为10～100个/μm²。

7.根据权利要求1或2所述的一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法，其特征在于：步骤3中所述深反应离子刻蚀设备的工艺参数包括，平板功率为0W，线圈功率为900～1200W，压强为1×10^-6Pa～0.1Pa，气体流量为100sccm。

8.根据权利要求1或2所述的一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法，其特征在于：步骤3中所述不同气体组合包括，依次通入的SF₆和O₂，时间依次为3～8分钟和8～12分钟。

9.根据权利要求1或2所述的一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法，其特征在于：步骤3中所述不同气体组合包括，依次通入的SF₆和CHF₃，时间依次为3～8分钟和8～12分钟。

10.根据权利要求1或2所述的一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法，其特征在于：步骤3中所述不同气体组合包括，依次通入的SF₆、O₂和CHF₃，时间依次为3～8分钟、8～12分钟和8～12分钟。