[发明专利]用于运行真空涂层设备的方法

权利要求书

1.用于运行真空涂层设备、尤其是用于制造薄层太阳能电池的方法，其中，在使用清洁气体完成涂层腔室清洁步骤之后并且在产品制造步骤之前实施用于将扩散阻碍层（15）涂布到涂层腔室（11）的壁上的涂层分离步骤。

2.按权利要求1所述的方法，

其中，在所述涂层腔室清洁步骤中使用含氟的气体作为清洁气体。

3.按权利要求1或2所述的方法，

其中，在所述涂层分离步骤中涂布具有硅、氧化硅和/或碳化硅和/或氮化硅的扩散阻碍层（15）。

4.按权利要求3所述的方法，

其中，在所述涂层分离步骤中涂布非结晶的或者微晶的或者具有过渡相的硅。

5.按权利要求3所述的方法，

其中，在所述涂层分离步骤中涂布具有非结晶的碳化硅的层（15）。

6.按上述权利要求中任一项所述的方法，

其中，取决于层材料以及分离温度如此调整所述扩散阻碍层（15）的层厚度，从而使得所述扩散阻碍层在真空涂层设备的按规定的运行中稳定地完全附着在所述涂层腔室（11）的壁上。

7.按权利要求6所述的方法，

其中，将所述扩散阻碍层（15）的层厚度调整到5nm与500nm之间、尤其是50nm与300nm之间的范围内的一个值。

8.按上述权利要求中任一项所述的方法，

其中，在涂层分离步骤之后的产品制造步骤具有薄层太阳能电池的n掺杂（2：5）的或者p掺杂（4：8）的或者本征（3：7）的硅层的分离过程。