[发明专利]石墨烯薄膜增敏的D型光纤SPR传感器及其制备方法无效
| 申请号： | 201210067372.7 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102621104A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 吴宇;饶云江;姚佰承 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 杨保刚;徐丰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 薄膜 光纤 spr 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.基于石墨烯薄膜增敏的D型光纤SPR传感器，包括D型光纤，在D型光纤的抛光面具有银膜层，其特征在于：在银膜层表面具有石墨烯薄膜层。
2.根据权利要求1所述的基于石墨烯薄膜增敏的D型光纤SPR传感器，其特征在于：所述石墨烯薄膜层的厚度为1～10石墨烯原子层。
3.根据权利要求2所述的基于石墨烯薄膜增敏的D型光纤SPR传感器，其特征在于：所述银膜层厚度为10～80nm。
4.一种基于石墨烯薄膜增敏的D型光纤SPR传感器的制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：
（1）制备D型光纤；并在D型光纤的抛光面制备银膜层；
（2）在银膜表面制备石墨烯薄膜层。
5.根据权利要求4所述的一种基于石墨烯薄膜增敏的D型光纤SPR传感器，其特征在于：所述石墨烯薄膜层的厚度为1～10石墨烯原子层。
6.根据权利要求5所述的一种基于石墨烯薄膜曾敏的D型光纤SPR传感器，其特征在于：所述银膜层的厚度为10～80nm。
7.根据权利要求5所述的一种基于石墨烯薄膜曾敏的D型光纤SPR传感器，其特征在于：所述石墨烯薄膜层通过化学气相沉积法制备。
8.根据权利要求6所述的一种基于石墨烯薄膜曾敏的D型光纤SPR传感器，其特征在于：所述银膜层通过化学沉积还原法制备。
9.根据权利要求4～8任一项所述的一种基于石墨烯薄膜曾敏的D型光纤SPR传感器，其特征在于：所述制备D型光纤的方法为：将多模或大芯径光纤侧面的一段涂覆层去掉，然后在一部分包层中挖一个D型槽，D型槽深度与光纤的半径长度相等，最后将这个槽抛光并确定表面光滑。
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