[发明专利]用于倒装芯片封装的加强结构

权利要求书

1.一种器件，包括：

载体基板，具有芯片区域和外围区域，其中，所述载体基板包括加强结构，所述加强结构嵌入在所述外围区域中；以及

芯片，接合到所述载体基板的所述芯片区域。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述加强结构具有金属，所述金属是铜。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述载体基板包括第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对，所述加强结构在所述载体基板中从所述第一表面延伸到所述第二表面，所述芯片包括有源表面和与所述有源表面相对的另一表面，其中，所述芯片的所述有源表面电连接到所述载体基板的所述第一表面或所述第二表面。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述加强结构包围所述芯片，或者

所述加强结构包括多个柱状物，所述多个柱状物位于所述载体基板中，所述多个柱状物包围所述芯片，或者

所述加强结构置于所述载体基板的角落中，所述加强结构为L形。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述载体基板是层压基板，所述层压基板包括双马来酰亚胺三嗪(BT)。

6.一种封装基板，包括：

层压基板，包括芯片区域和外围区域，所述芯片区域被配置为接合到芯片；以及

加强结构，嵌入在所述层压基板的所述外围区域中。

7.根据权利要求6所述的封装基板，其中，所述加强结构包括多个柱状物结构，所述多个柱状物结构包围所述芯片区域。

8.根据权利要求6所述的封装基板，其中，所述加强结构位于所述层压基板的角落中；或者

所述层压基板包括多个介电层，所述多个介电层中设置有多个金属层，其中，所述加强结构延伸穿过所述多个介电层；或者

所述加强结构具有金属。

9.一种方法，包括：

提供载体基板，所述载体基板包括芯片区域和外围区域，其中，所述载体基板包括嵌入在所述外围区域中的加强结构；以及

将芯片接合到所述载体基板的所述芯片区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，接合所述芯片的步骤包括：实施倒装芯片接合工艺；或者

提供所述载体基板的步骤包括：形成层压基板，其中，当形成所述层压基板时，形成所述加强结构。