[发明专利]合成7-苯乙酰氨基去乙酰氧基头孢G酸的方法无效
申请号: | 201210068092.8 | 申请日: | 2012-03-15 |
公开(公告)号: | CN102617602A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 周新基;夏俊维;陈新建;李珣珣;赵新峰 | 申请(专利权)人: | 江苏九九久科技股份有限公司 |
主分类号: | C07D501/22 | 分类号: | C07D501/22;C07D501/10 |
代理公司: | 南通市永通专利事务所 32100 | 代理人: | 葛雷 |
地址: | 226401 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 合成 乙酰 氨基 头孢 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种合成7-苯乙酰氨基去乙酰氧基头孢G酸的方法。
背景技术
7-苯乙酰氨基去乙酰氧基头孢G酸(简称头孢G酸)是一种重要的中间体头孢药物,由青霉素工业盐制备得来。
头孢G酸的中间体文献报道大多是将青霉素亚砜经酯化制得青霉素亚砜酯,再经催化扩环水解制 得头孢G酸。目前工业上普遍采用六甲基二硅脲(BSU)作为头孢G酸合成过程中的羧基保护剂。而扩环催化剂主要使用的是氢溴酸吡啶复盐,投加时间主要在酯化结束以后。
BSU合成路线为三甲基氯硅烷与氨气反应得到六甲基二硅氮烷,然后采用六甲基二硅氮烷与尿素回流反应得到BSU。合成路线长,费时,高消耗。涉及氨化,高危工艺。涉及冷冻、高温等操作,高能耗。
发明内容
本发明的目的在于提供一种操作简单、生产成本低的合成7-苯乙酰氨基去乙酰氧基头孢G酸的方法。
本发明的技术解决方案是:
一种合成7-苯乙酰氨基去乙酰氧基头孢G酸的方法,其特征是:将青霉素G亚砜在三甲基卤硅烷基有机碱存在下进行酯化反应,得到合成7-苯乙酰氨基去乙酰氧基头孢G酸。
三甲基卤硅烷为三甲基溴硅烷或三甲基氯硅烷。
三甲基卤硅烷的用量为青霉素G亚砜摩尔量的0.5~1.5倍;三甲基卤硅烷加入到反应体系中的投加方式为溶解在溶剂中滴加。
所述有机碱是吡啶、4-甲基吡啶、2-甲基吡啶、三乙胺、吗啉或N-甲基吗啉。
有机碱的用量为青霉素G亚砜摩尔量的0.1~0.3倍,有机碱加入到反应体系中的投加方式为溶解在溶剂中滴加。
本发明直接采用三甲基卤硅烷作为羧酸保护剂,减少了酯化剂BSU的用量,减少了合成BSU的工业成本;在酯化过程中加入有机碱作为缚酸剂。酯化反应过程中会形成酸碱复盐。尤其是加入吡啶作为有机碱时,生成的复盐为氢卤酸吡啶,可以直接作为开环催化剂使用。操作简单,省略了中途投加固体催化剂的麻烦;过量的氢卤酸采用真空脱除,后续回收,用于制取三甲基卤硅烷。实现了卤素的高效循环,环保、安全;除氢卤酸时真空状态不超过0.095MPa,防止爆沸;回收好的氢卤酸直接通入六甲基二硅氧烷溶液制备三甲基卤硅烷。
下面结合实施例对本发明作进一步说明。
具体实施方式
实施例1:
向烧瓶中投加青霉素G亚砜60g,投甲苯535ml,搅拌下升温到42℃,维持恒速向烧瓶中同时滴加三甲基溴硅烷甲苯溶液120ml(其中三甲基溴硅烷的量为青霉素G亚砜摩尔量的1倍)和吡啶甲苯溶液60ml(其中吡啶的量为青霉素G亚砜摩尔量的0.2倍),约1小时两者同时滴完,滴完升温到50℃,带真空维持1小时,升温到回流扩环。最终得到头孢G酸98g潮品。
实施例2:
向烧瓶中投加青霉素G亚砜60g,投甲苯535ml,搅拌下升温到40℃,维持恒速向烧瓶中同时滴加三甲基溴硅烷甲苯溶液80ml(其中三甲基溴硅烷的量为青霉素G亚砜摩尔量的0.5倍)和吡啶甲苯溶液100ml(其中吡啶的量为青霉素G亚砜摩尔量的0.3倍),约45分钟两者同时滴完,滴完升温到55℃,控制微真空维持1小时,升温到回流扩环。最终得到头孢G酸104g潮品。
实施例3:
向烧瓶中投加青霉素G亚砜60g,投甲苯535ml,搅拌下升温到40℃,维持恒速向烧瓶中滴加三甲基溴硅烷甲苯溶液150ml(其中三甲基溴硅烷的量为青霉素G亚砜摩尔量的1倍),约30分钟滴完,滴完升温到55℃,控制真空维持半小时,保温结束,维持真空滴加吡啶甲苯溶液50ml(其中吡啶的量为青霉素G亚砜摩尔量的0.1倍),滴加时间约2小时。滴加结束保温30分钟,最后升温到回流扩环。最终得到头孢G酸135g潮品。
其他实施例:将三甲基溴硅烷替换成三甲基氯硅烷,将有机碱吡啶替换成4-甲基吡啶、2-甲基吡啶、三乙胺、吗啉或N-甲基吗啉。其余同实施例1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏九九久科技股份有限公司,未经江苏九九久科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210068092.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种纳米尺寸阻变存储器小孔的制备方法
- 下一篇:一种形成前金属介电质层的方法